根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布的最新「全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告」（World Fab Forecast Report），今年全球晶圓廠設(shè)備投資將增加14%，為628億美元，2019年可望上揚(yáng)7.5% ，達(dá)675億美元，不但連續(xù)四年成長(zhǎng)，也創(chuàng)下歷年來晶圓廠設(shè)備投資金額最高的記錄。新晶圓廠建設(shè)投資正邁向新高，預(yù)估將維持連續(xù)四年成長(zhǎng)，明年建廠相關(guān)投資將逼近170億美元大關(guān)。



根據(jù)預(yù)測(cè)顯示，由于新晶圓廠陸續(xù)啟動(dòng)，設(shè)備需求因而大幅增加，投資在晶圓廠技術(shù)、生產(chǎn)制程，及額外的產(chǎn)能資本額也將有所增長(zhǎng)。全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告目前共追蹤78座已經(jīng)或即將在2017年到2020年間動(dòng)工的新設(shè)晶圓廠和產(chǎn)線(機(jī)率各異)，相關(guān)晶圓廠設(shè)備需求最終將超過2,200億美元。這段期間，這些晶圓廠和產(chǎn)線的建廠投資可望達(dá)530億美元。

 

 

韓國的晶圓廠設(shè)備投資金額預(yù)測(cè)將領(lǐng)先其他地區(qū)，達(dá)630億美元，比位居第二的中國大陸多出10億美元。臺(tái)灣可望以400億美元拿下第三名，其次為日本的220億美元，還有美洲地區(qū)的150億美元。歐洲和東南亞將并列第六，投資金額分別為80億美元。這些晶圓廠當(dāng)中，其中60%屬于記憶體(其中又以3D NAND占比最高)，三分之一為晶圓代工。



2017年到2020年間動(dòng)工的78座晶圓廠和產(chǎn)線當(dāng)中，其中59處已于2017和2018年開始興建，另有19座可望在后兩年(2019和2020年)動(dòng)工。



建設(shè)新晶圓廠通常需花一年到一年半的時(shí)間，不過受到公司、廠房規(guī)模、產(chǎn)品種類和地區(qū)等各種因素影響，有些會(huì)花上兩年甚至更久的時(shí)間。預(yù)估在2,200億美元投資金額，約有50%投資金額于2017至2020年之間支出，其中不到10%于去年和今年(2017-2018)支出，另有近40%將在未來2年中(2019-2020)支出，剩下金額將于2020年以后支出。



2,200億美元新晶圓廠投資，乃根據(jù)現(xiàn)有及已公布的晶圓廠計(jì)畫所推估，但因多家業(yè)者持續(xù)推出新建晶圓廠計(jì)畫，故整體支出可能超過此金額。



自今年6月1日發(fā)表的全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告中，截至今日已更新超過340座晶圓廠。目前報(bào)告內(nèi)容包含1,200多項(xiàng)從現(xiàn)在和未來的半導(dǎo)體先進(jìn)制程數(shù)據(jù)，其中涵蓋生產(chǎn)至研發(fā)。報(bào)告內(nèi)容包括各季投資細(xì)節(jié)、產(chǎn)品種類、技術(shù)制程，以及各晶圓廠及產(chǎn)能計(jì)畫。