131 1300 0010
行業(yè)動態(tài)
當(dāng)前位置: 首頁>> 新聞中心>>行業(yè)動態(tài)>>
  • 導(dǎo)航欄目
  • 產(chǎn)品新聞
  • 企業(yè)新聞
  • 行業(yè)動態(tài)
  • 半導(dǎo)體制造之外延工藝詳解
    半導(dǎo)體制造之外延工藝詳解
  • 半導(dǎo)體制造之外延工藝詳解
  • 來源:Semi Connect   發(fā)布日期: 2023-02-14  瀏覽次數(shù): 6,166

    外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS?晶體管嵌入式源漏外延生長,LED襯底上的外延生長等。根據(jù)生長源物相狀態(tài)的不同,外延生長方式可以分為固相外延、液相外延、氣相外延。在集成電路制造中,常用的外延方式是固相外延和氣相外延。

    c1abbe2e-aaa2-11ed-bfe3-dac502259ad0

    固相外延,是指固體源在襯底上生長一層單晶層,如離子注入后的熱退火實(shí)際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時(shí),硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊,脫離原有晶格位置,發(fā)生非晶化,形成一層表面非晶硅層;再經(jīng)過高溫?zé)嵬嘶穑蔷г又匦禄氐骄Ц裎恢?,并與襯底內(nèi)部原子晶向保持一致。

    c219211c-aaa2-11ed-bfe3-dac502259ad0

    氣相外延的生長方法包括化學(xué)氣相外延生長(CVE)、分子束外延( MBD)、原子層外(ALE)等。在集成電路制造中,最常用的是化學(xué)氣相外延生長(CVE)?;瘜W(xué)氣相外延與化學(xué)氣相沉積(CVD) 原理基本相同,都是利用氣體混合后在晶片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),沉積薄膜的工藝;不同的是,因?yàn)榛瘜W(xué)氣相外延生長的是單晶層,所以對設(shè)備內(nèi)的雜質(zhì)含量和硅片表面的潔凈度要求都更高。早期的化學(xué)氣相外延硅工藝需要在高溫條件下(大于 1000°C)進(jìn)行。隨著工藝設(shè)備的改進(jìn),尤其是真空交換腔體(Load?Lock Chamber)技術(shù)的采用,設(shè)備腔內(nèi)和硅片表面的潔凈度大大改進(jìn),硅的外延已經(jīng)可以在較低溫度 (600~700°C)下進(jìn)行。 在集成電路制造中,CVE 主要用于外延硅片工藝和 MOS 晶體管嵌人式源漏外延工藝。外延硅片工藝是在硅片表面外延一層單晶硅,與原來的硅襯底相比,外延硅層的純度更高,晶格缺陷更少,從而提高了半導(dǎo)體制造的成品率。另外,硅片上生長的外延硅層的生長厚度和摻雜濃度可以靈活設(shè)計(jì),這給器件的設(shè)計(jì)帶來了靈活性,如可以用于減小襯底電阻,增強(qiáng)襯底隔離等。 嵌入式源漏外延工藝是在邏輯先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)廣泛采用的技術(shù),是指在 MOS 晶體管的源漏區(qū)域外延生長摻雜的鍺硅或硅的工藝。引入嵌入式源漏外延工藝的主要優(yōu)點(diǎn)包括:可以生長因晶格適配而包含應(yīng)力的贗晶層,提升溝道載流子遷移率;可以原位摻雜源漏,降低源漏結(jié)寄生電阻,減少高能離子注入的缺陷。


  • ·上一篇:
    ·下一篇:
  • 其他關(guān)聯(lián)資訊
    深圳市日月辰科技有限公司
    地址:深圳市寶安區(qū)松崗鎮(zhèn)潭頭第二工業(yè)城A區(qū)27棟3樓
    電話:0755-2955 6626
    傳真:0755-2978 1585
    手機(jī):131 1300 0010
    郵箱:hu@szryc.com

    深圳市日月辰科技有限公司 版權(quán)所有:Copyright?2010-2023 elibeatofitness.com 電話:13113000010 粵ICP備2021111333號