2018年10月29日，北京訊 - 德州儀器（TI）近日宣布推出支持高達(dá) 10kW 應(yīng)用的新型即用型 600 V 氮化鎵（GaN），50mΩ 和70mΩ 功率級(jí)產(chǎn)品組合。與 AC/DC 電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個(gè)人電子應(yīng)用中的硅場效應(yīng)晶體管（FET）相比，LMG341x 系列使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計(jì)。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)?jiān)L問 http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R050-pr, http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R070-pr ?HQS=app-hvp-gan-ganfamily-pr-sa-20181030-cn ,,, 和 http://www.ti.com.cn/product/LMG3411R070-pr。 

 

德州儀器的 GaN FET 器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實(shí)現(xiàn)簡化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)和獨(dú)立的 GaN FET 提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns 電流限制和過溫檢測，器件可防止意外的直通事件并防止熱失控，同時(shí)系統(tǒng)接口信號(hào)可實(shí)現(xiàn)自我監(jiān)控功能。

 

 

 

LMG3410R050、LMG3410R070 和 LMG3411R070 的主要特性和優(yōu)勢 

• 更小、更有效的解決方案：與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）相比，德州儀器的集成 GaN 功率級(jí)可將功率密度提高一倍，并將損耗降低80%。每個(gè)器件都具有快速的 1MHz 開關(guān)頻率和高達(dá)100V/ns 的壓擺率。



• 系統(tǒng)可靠性：本產(chǎn)品組合接受了2000萬小時(shí)的設(shè)備可靠性測試，包括加速和應(yīng)用內(nèi)硬開關(guān)測試。此外，每個(gè)器件均提供集成的散熱和高速、100ns 過流保護(hù)，以防止直通和短路情況。



• 每個(gè)功率級(jí)的設(shè)備：50mΩ 或 70mΩ 條件下，本產(chǎn)品組合中的每個(gè)器件均提供一個(gè) GaN FET、驅(qū)動(dòng)器并提供保護(hù)功能，可為低于 100W 至 10kW 的應(yīng)用提供單芯片解決方案。

 

在德國慕尼黑電子展 electronica 訪問德州儀器

德州儀器（TI）將在德國慕尼黑電子展（2018年11月13日至16日）的 C4展廳-131展位展示一個(gè)10kW的云網(wǎng)格鏈接演示。由德州儀器和西門子聯(lián)合開發(fā)的有源演示采用德州儀器的 LMG3410R050 600V GaN FET，具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，與傳統(tǒng)的硅設(shè)計(jì)相比，幫助工程師實(shí)現(xiàn)99%的效率，功率元件尺寸可減少30%。

 

封裝和供貨

這些器件均采用 8mm×8mm 分割墊、方形扁平無引腳（QFN）封裝,現(xiàn)可從 TI 商店處購買。LMG3410R050, LMG3410R070 和 LMG3411R070 的訂購單位為1000件。



了解有關(guān) TI LMG3410R050、LMG3410R070 和 LMG3411R070 產(chǎn)品的更多信息

• 閱讀博文，“空間減半，功率加倍：氮化鎵如何徹底改變機(jī)器人，可再生能源，電信等技術(shù)”，并可在 E2EChina 上探索更多的GaN帖子

• 使用 LMG3410EVM-018、LMG3410-HB-EVM 和 LMG3411EVM-029評(píng)估模塊快速開始設(shè)計(jì)。

• 下載這些應(yīng)用注釋： 

o “高密度電源設(shè)計(jì)中的過流保護(hù)”

o “設(shè)計(jì) GaN 功率級(jí)的熱考慮因素”

• 查看德州儀器完整的 GaN 產(chǎn)品組合解決方案。