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    MOS管散熱片設(shè)計(jì)如何影響EMC表現(xiàn)
  • MOS管散熱片設(shè)計(jì)如何影響EMC表現(xiàn)
  • 來(lái)源:電源聯(lián)盟  發(fā)布日期: 2024-03-25  瀏覽次數(shù): 3,374

    MOS管散熱片與EMC的關(guān)系

    電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中,很多情況下都要考慮EMC的問(wèn)題。在設(shè)計(jì)中使用MOS管時(shí),在添加散熱片時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)一種比較糾結(jié)的情況。當(dāng)MOS管的EMC通過(guò)時(shí),散熱片需要接地,而在散熱片不接地的情況下,EMC是無(wú)法通過(guò)的。那么為何會(huì)出現(xiàn)這種現(xiàn)象呢?

    簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),針對(duì)傳導(dǎo)可以將一些開(kāi)關(guān)輻射通過(guò)散熱器傳導(dǎo)到大地回路,減弱了走傳輸線,讓流通的路徑更多了。針對(duì)輻射,沒(méi)接地的散熱器不僅沒(méi)好處,反而是輻射發(fā)射源,對(duì)EMC壞處更大,同時(shí)接地了,能起到一定的屏蔽效果,所以布板時(shí),將大電解電容用來(lái)做屏蔽用,將IC放在大電解電容下面防止干擾都是這個(gè)道理。

    共模干擾

    騷擾通過(guò)MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話,在騷擾電壓一定的情況下,阻抗很低,騷擾電流很大,導(dǎo)致CE測(cè)試失效。

    開(kāi)關(guān)管由導(dǎo)通切換為關(guān)斷狀態(tài)時(shí),脈沖變壓器分布電感儲(chǔ)存的能量,將與C1產(chǎn)生振蕩,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管C、E之間的電壓迅速上升達(dá)500V左右,形成浪涌電壓。并產(chǎn)生按開(kāi)關(guān)頻率工作的脈沖串電流,經(jīng)集電極和散熱器之間的分布電容Ci及變壓器初,次級(jí)之間的分布電容Cd返回AC線形成共模騷擾電流。

    開(kāi)關(guān)管由關(guān)斷切換為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),C1通過(guò)開(kāi)關(guān)管放電形成浪涌電流產(chǎn)生差模騷擾。

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    圖1

    如圖1所示,減少開(kāi)關(guān)管集電極和散熱片之間的耦合電容Ci??梢赃x用低介電常數(shù)的材料作絕緣墊,加厚墊片的厚度。也可以用靜電屏蔽的方法。例如,在集電極和散熱片之間墊上一層夾心絕緣物,即絕緣物中間夾一層銅箔,作為靜電屏蔽層,并接在輸入直流OV地上,散熱片仍接機(jī)殼地,這層靜電屏蔽層將大大減小集電極和散熱片之間的電場(chǎng)耦合。

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    圖2

    如圖2所示,即將共模干擾轉(zhuǎn)化為差模,回流的源中,不通過(guò)LISN。

    小結(jié)

    本篇文章分析了MOS管散熱片接地與不接地對(duì)EMC的影響,有助于對(duì)電路中EMC抑制的理解。


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