日前,德國(guó)大廠英飛凌宣布,已收購(gòu)一家名為Siltectra的初創(chuàng)企業(yè),將一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)(ColdSpilt)也收入了囊中。“冷切割”是一種高效的晶體材料加工工藝,能夠?qū)⒉牧蠐p失降到最低。英飛凌將把這項(xiàng)技術(shù)用于碳化硅(SiC)晶圓的切割上,從而讓單片晶圓可出產(chǎn)的芯片數(shù)量翻番。進(jìn)一步加碼碳化硅市場(chǎng)。
在早些時(shí)候,意法半導(dǎo)體CEO在接受媒體采訪也談到,該公司的碳化硅產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)批量出貨,年出貨金額在今年能突破一億美元,市場(chǎng)占有率高達(dá)90%;X—Fab也聲稱(chēng)將擴(kuò)大晶圓的生產(chǎn);日本羅姆今年四月也宣布,將在其福岡筑后工廠投建新廠房,擴(kuò)充碳化硅產(chǎn)能。
多方面的消息證明,碳化硅大戰(zhàn)一觸即發(fā)。
SiC功率器件需求大增
SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半導(dǎo)體材料。在生產(chǎn)流程中,專(zhuān)門(mén)的SiC襯底被開(kāi)發(fā)出來(lái),然后在晶圓廠中進(jìn)行加工,得到基于SiC的功率半導(dǎo)體。許多基于SiC的功率半導(dǎo)體和競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)都是專(zhuān)用晶體管,它們可以在高電壓下開(kāi)關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領(lǐng)域,可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制。
得益于其垂直架構(gòu),因此相較于氮化鎵和硅,碳化硅可以承受更高的電壓,能適用于1000V以上的應(yīng)用市場(chǎng)。以硅而言,目前硅基MOSFET多應(yīng)用在1000V以下,約600~900V之間,若是超過(guò)1000V,其芯片體積(Chip Size)會(huì)變得很大,以及切換損耗、寄生電容都會(huì)跟著提升,另外價(jià)格也會(huì)大漲,因此較不適用于1000V以上的應(yīng)用。而SiC因其寬帶隙技術(shù)脫穎而出。而與傳統(tǒng)硅基器件相比,SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是傳統(tǒng)硅基器件的10倍,導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍,具有極其強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)。
SiC和GaN設(shè)計(jì)方式不同,耐壓程度也因而有所差異。
羅姆在接受半導(dǎo)體行業(yè)觀察采訪時(shí)也表示,在功率元器件領(lǐng)域中,SiC作為新一代材料備受矚目,與傳統(tǒng)使用的Si相比,SiC元器件實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作。且使用SiC元器件能讓設(shè)備變得更小、功耗更低。因具備高耐壓、高耐熱性,使得之前不能使用的小空間和嚴(yán)酷環(huán)境下的安裝成為可能。以汽車(chē)為例,應(yīng)用于混合動(dòng)力汽車(chē)、電動(dòng)汽車(chē),可大幅度降低油耗,擴(kuò)大室內(nèi)空間。用于太陽(yáng)能發(fā)電時(shí),功率損耗率能減少50%,有望為地球環(huán)境問(wèn)題的緩解做出巨大貢獻(xiàn)。這就使得這個(gè)新型材料器件非常適合于在電源、汽車(chē)、鐵路、工業(yè)設(shè)備、家用消費(fèi)電子設(shè)備等各個(gè)領(lǐng)域。尤其是今年來(lái)隨著電動(dòng)車(chē)等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要求,市場(chǎng)對(duì)SiC的需求大增。
據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,2018年全球?qū)?huì)有超過(guò)20家的汽車(chē)業(yè)者,在OBC中使用SiC肖特基二極體(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未來(lái)SiC功率半導(dǎo)體在OBC市場(chǎng)中有望以CAGR 44%的速度成長(zhǎng)至2023年。麥姆斯繼續(xù)指出,未來(lái)將有愈來(lái)愈多的汽車(chē)制造商會(huì)在主逆變器中采用SiC功率半導(dǎo)體,特別是中國(guó)車(chē)商,近幾年更是紛紛考慮使用SiC功率元件,因此,2017~2023年,SiC功率元件在主逆變器市場(chǎng)的CAGR,更可能高達(dá)108%。這就推動(dòng)市場(chǎng)的爆發(fā)性進(jìn)展。
從他們提供的數(shù)據(jù)我們可以看到,全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從2017年的3.02億美元,快速成長(zhǎng)至2023年的13.99億美元,年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)29%。
上游供應(yīng)商加緊布局
面對(duì)這樣一個(gè)成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),SiC的上游供應(yīng)鏈廠商正在積極布局。
首先在晶圓方面,目前全球僅約有三、四家業(yè)者(Cree、Norstel、新日鐵住金等)能提供穩(wěn)定的產(chǎn)量,但似乎這個(gè)領(lǐng)域正在面臨不同的變化。
首先在全球SiC晶圓領(lǐng)頭羊Cree方面,他們加快向汽車(chē)領(lǐng)域進(jìn)軍。
今年八月,該公司旗下的Wolfspeed宣布,推出用于電動(dòng)汽車(chē)(EV)和可再生能源市場(chǎng)的新型穩(wěn)健SiC半導(dǎo)體器件系列E-Series 。據(jù)官方介紹,Wolfspeed的E系列是第一個(gè)符合汽車(chē)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能的SiC MOSFET和二極管商用系列。該產(chǎn)品使其成為唯一一款符合高濕度和汽車(chē)資質(zhì)的商用SiC MOSFET和二極管系列產(chǎn)品,可為當(dāng)今電力市場(chǎng)提供最可靠,最耐腐蝕的元件。
而日企昭和電工則在最近一年多里發(fā)布了多次SiC擴(kuò)產(chǎn)聲明。
昭和電工表示,該公司之前分別于2017年9月、2018年1月宣布增產(chǎn)SiC晶圓,不過(guò)因SiC制電源控制晶片市場(chǎng)急速成長(zhǎng)、為了因應(yīng)來(lái)自顧客端旺盛的需求,因此決定對(duì)SiC晶圓進(jìn)行第3度的增產(chǎn)投資。昭和電工SiC晶圓月產(chǎn)能甫于今年(2018年)4月從3,000片提高至5,000片(第1次增產(chǎn)),且將在今年9月進(jìn)一步提高至7,000片(第2次增產(chǎn)),而進(jìn)行第3度增產(chǎn)投資后,將在2019年2月擴(kuò)增至9,000片的水準(zhǔn)、達(dá)現(xiàn)行(5,000片)的1.8倍。
在代工廠方面,X-Fab在今年九月宣布,計(jì)劃將其位于德克薩斯州6英寸SiC工藝工廠產(chǎn)能翻番,以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高效功率半導(dǎo)體器件日益增長(zhǎng)的需求。為了使容量翻倍,X-Fab 德州工廠購(gòu)買(mǎi)了第二臺(tái)加熱離子注入機(jī),用于制造6英寸SiC晶圓。預(yù)計(jì)到在2019年第一季度及時(shí)生產(chǎn),以滿(mǎn)足預(yù)計(jì)的近期需求。
X-Fab德州工廠的Lloyd Whetzel說(shuō):“隨著SiC的日益普及,我們?cè)缇兔靼?,提高離子注入能力是我們?cè)赟iC市場(chǎng)上的持續(xù)制造成功的關(guān)鍵。但這只是我們針對(duì)特定SiC制造工藝改進(jìn)的總體資本計(jì)劃的第一步。這體現(xiàn)了X-Fab對(duì)SiC行業(yè)的承諾,并保持我們?cè)赟iC鑄造業(yè)務(wù)中的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
來(lái)自我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的晶圓代工廠漢磊在今年八月也宣布,決定擴(kuò)大碳化硅(SiC)產(chǎn)能,董事會(huì)決議斥資3.4億元新建置6吋SiC生產(chǎn)線(xiàn),為臺(tái)灣地區(qū)第一家率先擴(kuò)增SiC產(chǎn)能的代工廠,預(yù)計(jì)明年下半年可以展開(kāi)試產(chǎn)。據(jù)了解,漢磊目前已建立4吋SiC制程月產(chǎn)能約1500片,預(yù)計(jì)將現(xiàn)有6吋晶圓廠部分生產(chǎn)線(xiàn)改為SiC制程生產(chǎn)線(xiàn),先把制程建立起來(lái),以滿(mǎn)足車(chē)載、工控產(chǎn)品等客戶(hù)強(qiáng)勁需求,因6吋的SiC售價(jià)達(dá)4000美元(約12萬(wàn)臺(tái)幣),估計(jì)每月只要產(chǎn)出2000到3000片,帶動(dòng)營(yíng)收就可望增加2、3億元以上。
國(guó)產(chǎn)方面,也有玩家躍躍欲試。
根據(jù)公開(kāi)資料顯示,今年五月,上海瞻芯電子聲稱(chēng),他們制造的第一片國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圓正式面世。據(jù)介紹,該公司2017年7月17日在上海臨港科技城正式注冊(cè)成立;于2017年10月上旬完成工藝流程、器件和版圖設(shè)計(jì),在10月到12月間完成初步工藝試驗(yàn);并且從2017年12月開(kāi)始正式流片,在短短不到5個(gè)月內(nèi)克服種種困難,成功地在一條成熟量產(chǎn)的6英寸工藝生產(chǎn)線(xiàn)上完成碳化硅(SiC) MOSFET的制造流程。晶圓級(jí)測(cè)試結(jié)果表明,各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)達(dá)到預(yù)期,為進(jìn)一步完成工藝和器件設(shè)計(jì)的優(yōu)化奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
而成立于2006年的北京天科合達(dá)更自稱(chēng)是亞太區(qū)碳化硅晶片生產(chǎn)制造先行者。
按照他們官方網(wǎng)站的介紹,北京天科合達(dá)在國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅晶體的產(chǎn)業(yè)化,打破了國(guó)外長(zhǎng)期的技術(shù)封鎖和壟斷,向國(guó)內(nèi)60余家科研機(jī)構(gòu)批量供應(yīng)晶片(包括半絕緣、導(dǎo)電、沿c軸和偏角度等),推動(dòng)了碳化硅外延、器件等相關(guān)的基礎(chǔ)研究,帶動(dòng)南車(chē)集團(tuán)等20多家(包含新成立的5家)企業(yè)進(jìn)入下游外延、器件和模塊產(chǎn)業(yè),在國(guó)內(nèi)形成了完整的產(chǎn)業(yè)鏈,推動(dòng)了我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
瀚天天成則是國(guó)內(nèi)另一家專(zhuān)注于碳化硅外延晶片的中美合資高新技術(shù)企業(yè)。據(jù)Digtimes的報(bào)道,依賴(lài)于由大陸、美、日共同組成的頂尖研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)。公司從2011年成立以來(lái),已經(jīng)形成三英寸四英寸以及六英寸的完整碳化硅半導(dǎo)體外延晶片生產(chǎn)線(xiàn),并滿(mǎn)足600V、1200V、1700V器件制作的需求。公司更是國(guó)內(nèi)第一家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延片的供應(yīng)商。公司更是預(yù)計(jì)在今年年底完成二期廠房的土地建設(shè),在明年上半年逐步釋放新產(chǎn)能。二期擴(kuò)建預(yù)期實(shí)現(xiàn)十倍產(chǎn)能的增長(zhǎng),達(dá)產(chǎn)年可實(shí)現(xiàn)每年30萬(wàn)片的產(chǎn)能目標(biāo)。
這些國(guó)內(nèi)外的上游廠商正在推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。
下游芯片廠的爭(zhēng)相競(jìng)逐
為了更好地把握即將爆發(fā)的機(jī)會(huì),下游的芯片廠也加碼卡位。
以英飛凌為例,在今年二月,英飛凌科技股份公司與科銳公司簽署一份碳化硅(SiC)晶圓長(zhǎng)期供貨戰(zhàn)略協(xié)議。按照英飛凌首席執(zhí)行官Reinhard Ploss指出:“我們對(duì)科銳公司的了解由來(lái)已久,它是一家強(qiáng)大可靠的合作伙伴,在業(yè)界享有良好聲譽(yù)。憑借這份碳化硅晶圓長(zhǎng)期供貨協(xié)議,我們能夠增強(qiáng)自身在汽車(chē)和工業(yè)功率控制等戰(zhàn)略增長(zhǎng)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì),從而為客戶(hù)創(chuàng)造更大價(jià)值。”這是保證英飛凌在SiC批量出貨前的有力支持。
至于日前收購(gòu)的Siltectra,則是英飛凌為提供SiC芯片產(chǎn)量而做的一個(gè)決定。據(jù)介紹,該公司開(kāi)發(fā)的Cold Split可有效處理晶體材料,并可大幅減少材料損耗。英飛凌將采用此Cold Split技術(shù)分割碳化硅(SiC)晶圓,使晶圓產(chǎn)出雙倍的芯片數(shù)量。英飛凌執(zhí)行長(zhǎng)Reinhard Ploss也表示:“此次收購(gòu)將協(xié)助我們利用新材料碳化矽擴(kuò)展優(yōu)異的產(chǎn)品組合。我們對(duì)系統(tǒng)的了解以及在薄晶圓方面的獨(dú)特專(zhuān)業(yè)技術(shù)將和Cold Split技術(shù)及Siltectra的創(chuàng)新能力相輔相成。Cold Split技術(shù)有助于我們以更多的SiC晶圓量產(chǎn)SiC產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)展在再生能源,以及推動(dòng)SiC在電動(dòng)車(chē)傳動(dòng)系統(tǒng)的使用率。”
英飛凌工業(yè)功率控制部門(mén)副總裁、大中華區(qū)副總裁于代輝在之前在接受半導(dǎo)體行業(yè)觀察采訪時(shí)也表示,英飛凌在SiC方面的研究已經(jīng)超過(guò)了十五年,近年來(lái)更是投入三千五百萬(wàn)歐元對(duì)SiC設(shè)備和相關(guān)工藝的研發(fā),并和可靠6英寸SiC晶圓供應(yīng)商建立了可靠的合作關(guān)系,保證了其SiC晶圓的供應(yīng);再加上他們頂尖的研發(fā)和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)加持,英飛凌的SiC研發(fā)進(jìn)展順利,并推出了CoolSiC系列產(chǎn)品。
來(lái)到SiC的另一個(gè)重要玩家羅姆方面,作為功率元器件的新材料,羅姆很早就關(guān)注到SiC,并與用戶(hù)以及大學(xué)等機(jī)構(gòu)一起展開(kāi)合作,不斷積累技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。據(jù)他們表示,在2009年將專(zhuān)門(mén)做SiC材料的德國(guó)SiCrystal公司納入旗下之后,公司確立了垂直統(tǒng)合生產(chǎn)體制,也讓公司成為全球唯一一家可以實(shí)現(xiàn)一條龍生產(chǎn)的SiC廠商。能從晶圓到封裝的所有工序均開(kāi)展了品質(zhì)改善活動(dòng)。
在2010年4月,羅姆也率先在日本開(kāi)始了SiC二極管的量產(chǎn)。同年12月,確立了世界首個(gè)SiC晶體管的量產(chǎn)體制。2012年3月,在全世界率先開(kāi)始了全SiC功率模塊的量產(chǎn)。目前,羅姆已實(shí)現(xiàn)第三代SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品的量產(chǎn)。近期,又推出了1700V 250A全SiC功率模塊新產(chǎn)品。與此同時(shí),羅姆發(fā)揮綜合性半導(dǎo)體廠商的優(yōu)勢(shì),備有發(fā)揮SiC元器件優(yōu)秀性能的控制IC、以及支持客戶(hù)使用環(huán)境的評(píng)估和仿真工具等。因此,可為客戶(hù)提供以先進(jìn)SiC功率元器件為首的綜合電源解決方案。本月初在接受日本媒體采訪時(shí),羅姆方面表示,希望到2025年能夠?qū)⑹袌?chǎng)份額提高到三成。
至于意法半導(dǎo)體,因?yàn)槠銼iC產(chǎn)品被全球的電動(dòng)車(chē)明星特斯拉采用,他們?cè)谶@個(gè)市場(chǎng)的表現(xiàn)也不容忽視。而在文章的開(kāi)頭,我們也說(shuō)到了他們CEO對(duì)其現(xiàn)狀的一些介紹。據(jù)公司官網(wǎng)介紹,意法半導(dǎo)體從1996年開(kāi)始從事碳化硅技術(shù)研發(fā)。在半導(dǎo)體市場(chǎng)推出一項(xiàng)新技術(shù),質(zhì)量高、壽命長(zhǎng),成本有競(jìng)爭(zhēng)力是基本要求。意法半導(dǎo)體戰(zhàn)勝了這種寬帶隙材料的量產(chǎn)挑戰(zhàn),于2004年開(kāi)始生產(chǎn)其首款SiC二極管。2009年,意法半導(dǎo)體的第一款 SiC MOSFET投產(chǎn),此后又增加了1200V的SiC MOSFET和功率肖特基二極管,以完善原來(lái)的650V產(chǎn)品組合。
隨著市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈,基礎(chǔ)材料的成本不斷降低,碳化硅的供應(yīng)鏈變得越來(lái)越穩(wěn)健。意法半導(dǎo)體一直在努力改善材料和工藝質(zhì)量。隨著材料和基于SiC技術(shù)的產(chǎn)品 變得更加成熟,意法半導(dǎo)體研制出正在成為汽車(chē)電氣化的關(guān)鍵推動(dòng)力的汽車(chē)級(jí)SiC功率器件。
意法半導(dǎo)體的6英寸碳化硅晶圓于2017年投產(chǎn),生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大有助于降低芯片成本,提高市場(chǎng)供應(yīng)量,滿(mǎn)足日益增多的SiC應(yīng)用的需求(包括更多的太陽(yáng)能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、家用電器和電源適配器)。
其他諸如安森美、東芝、富士電機(jī)、三菱、、Littelfuse、通用電氣和GeneSiC等公司也都是SiC市場(chǎng)的重要玩家,他們都在摩拳擦掌,虛位以待。
還需跨過(guò)這幾道坎
無(wú)論從市場(chǎng)反應(yīng),還是公司的表現(xiàn)來(lái)看,SiC器件似乎真的到了即將爆發(fā)的時(shí)候,但是從整體上看,還需要跨過(guò)幾道坎。首先,按照羅姆的說(shuō)法,和Si相比,SiC的成本較高。如何提高成本競(jìng)爭(zhēng)力,是SiC能夠爆發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵條件。
從技術(shù)上看,SiC也需要迎來(lái)幾方面的挑戰(zhàn)。
瀚天天成電子科技銷(xiāo)售副總裁司馬良亮在接受臺(tái)媒CTIMES采訪時(shí)談到,由于碳化硅的生產(chǎn)瓶頸尚未解決,原料晶柱的品質(zhì)不穩(wěn)定,造成整體市場(chǎng)無(wú)法大規(guī)模普及。另一個(gè)發(fā)展限制,則是在碳化硅元件的應(yīng)用與設(shè)計(jì)上。司馬良亮表示,由于硅晶圓問(wèn)世已久,而且行之有年,有非常完整的工具與技術(shù)支撐,因此絕大多數(shù)的芯片工程師只熟悉硅元件的芯片開(kāi)發(fā),但對(duì)于碳化硅元件的性能與用途,其實(shí)不怎么清楚。
他甚至用“博士”和“小學(xué)生”,來(lái)對(duì)比目前硅晶與碳化硅之間的知識(shí)落差。也因?yàn)橛羞@樣的知識(shí)上的落差,造成碳化硅元件在發(fā)展上更加緩慢。
“工程師對(duì)碳化硅元件本身的性能就已經(jīng)不太清楚,再加上晶圓品質(zhì)的不穩(wěn)定,導(dǎo)致元件的良率與可靠度不足,讓整個(gè)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常緩慢”,司馬良亮說(shuō)道。
如果這些問(wèn)題能終有一日解決,SiC的時(shí)代那就真的真正來(lái)臨了。