1、旁路瓷片電容器的電容不能太大,而它的寄生串聯(lián)電感應(yīng)盡量小,多個(gè)電容并聯(lián)能改善電容的阻抗特性;
2、電感的寄生并聯(lián)電容應(yīng)盡量小,電感引腳焊盤(pán)之間的距離越遠(yuǎn)越好;
3、避免在地層上放置任何功率或信號(hào)走線;
4、高頻環(huán)路的面積應(yīng)盡可能減小;
5、過(guò)孔放置不應(yīng)破壞高頻電流在地層上的路徑;
6、系統(tǒng)板上一小同電路需要不同接地層,小同電路的接地層通過(guò)單點(diǎn)與電源接地層相連接;
7、控制芯片至上端和下端場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電路環(huán)路要盡量短;
8、開(kāi)關(guān)電源功率電路和控制信號(hào)電路元器件需要連接到小同的接地層,這二個(gè)地層一般都是通過(guò)單點(diǎn)相連接。
1、Y電容放置在需要吸收的地方,接地越近越好,但也要考濾具體的設(shè)備結(jié)構(gòu)而定,但有一個(gè)原側(cè)就是接地點(diǎn)不要遠(yuǎn)離Y電容中心接地端。
2、控制IC的CS腳與MOS和S極間的電阻應(yīng)靠近MOS的S極,因?yàn)樵诖穗娮枭汐@取取樣較低的電壓,距MOS的S極遠(yuǎn),總電阻會(huì)增加而產(chǎn)生誤差,另外也容易受到外部的影響受到干擾,這也要看具體電路,如同步整流電路UCC28950就不是這樣,CS分流電阻就離IC很近,原因是CS信號(hào)電壓比較高,總的原側(cè)是看哪邊的電壓比較低,IC的CS端就靠近哪邊,但在開(kāi)關(guān)電源中CS電阻一定要在SOM最近的接地處。
3、驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)靠近控制IC,因?yàn)镮C輸出的電壓不是很高,而驅(qū)動(dòng)電路輸出的電壓相對(duì)比控制IC輸出的電壓高很多,受到外界影響要小很多。
4、初次極的吸收電路電阻靠近交流輸入電壓端為好(如經(jīng)過(guò)濾波的+310),因?yàn)殡娮韬须姼谐煞荩资芡獠扛蓴_,也同時(shí)干擾其它電路,該電阻遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)元件(如MOS端),次極則是電阻靠近低電壓處,如電解的負(fù)極接地處。