精密四路SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)

開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的作用。最常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器，當(dāng)給驅(qū)動(dòng)繼電器的驅(qū)動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí)，繼電器就吸合或釋放，其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路。CMOS模擬開(kāi)關(guān)是一種可控開(kāi)關(guān)，它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合，只適于處理幅度不超過(guò)其工作電壓、電流較小的模擬或數(shù)字信號(hào)。

DG1411系列單片四路模擬開(kāi)關(guān)旨在改善高速，低誤差的精密模擬信號(hào)切換。DG1411系列低功率（μW0.033）與高速相結(jié)合，是理想的適合便攜式和電池供電的工業(yè)和軍事應(yīng)用程序，

為了實(shí)現(xiàn)高電壓額定值和出色的開(kāi)關(guān)性能，DG1411系列是內(nèi)置在日前，VishaySiliconix公司的最新的高電壓硅柵工藝。一種外延層防止閉鎖。每個(gè)開(kāi)關(guān)進(jìn)行同樣的作用時(shí)，兩個(gè)方向，并阻止輸入電壓供應(yīng)水平關(guān)閉時(shí)。

特點(diǎn)

35 V電源最大額定值

±15 V模擬信號(hào)

導(dǎo)通電阻- RDS：1.5Ω

快速開(kāi)關(guān) - 噸位：100納秒

超低功耗 - PD：0.033μW

TTL，CMOS兼容

單電源供電能力

該設(shè)備提供的最大導(dǎo)通電阻平坦度為0.48Ω，CS（OFF）為11 pF，CD（ON）為87 pF，從-60臺(tái)電腦至+135整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)的PC和電荷注入。DG1411，DG1412和DG1413是雙向的，并支持模擬信號(hào)的電源電壓時(shí)，和關(guān)閉時(shí)阻止他們。開(kāi)關(guān)可在符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含鹵素TSSOP16，QFN16 4毫米×4毫米封裝。

優(yōu)點(diǎn)

最寬的動(dòng)態(tài)范圍

低信號(hào)誤差和失真

先斷后合開(kāi)關(guān)動(dòng)作

簡(jiǎn)單的接口

應(yīng)用

醫(yī)療及保健設(shè)備

精密數(shù)據(jù)采集

通信系統(tǒng)

電池供電系統(tǒng)

計(jì)算機(jī)外設(shè)

HI-201/883是Renesas的子公司Intersil推出的四路SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)，在單片器件內(nèi)集成四個(gè)獨(dú)立可選的SPST開(kāi)關(guān)，具有快速切換速度（185ns典型值）和低功耗（在25°C時(shí)功耗為15mW典型值）的特點(diǎn)。

HI-201/883的每個(gè)開(kāi)關(guān)支持電源軌的輸入信號(hào)電壓和25mA的連續(xù)信號(hào)電流都提供低導(dǎo)通電阻操作。堅(jiān)固的DI結(jié)構(gòu)消除了閂鎖和襯底SCR故障模式。

HI-201/883的每個(gè)開(kāi)關(guān)都提供先開(kāi)后合的切換功能，并兼容TTL和CMOS電平，以實(shí)現(xiàn)最大的應(yīng)用靈活性。 HI-201/883是用于高頻模擬切換的理想組件。 典型應(yīng)用包括信號(hào)路徑切換，采樣保持電路，數(shù)字濾波器和運(yùn)放增益切換網(wǎng)絡(luò)。HI-201/883采用16 Ld CerDIP封裝。

HI-201/883的重要特性：

•本電路按照標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883進(jìn)行處理

•低的“On”電阻（導(dǎo)通電阻）： 最大100Ω

•寬模擬信號(hào)范圍：±15V

•TTL / CMOS電平兼容： 2.4V（邏輯“1”）

•開(kāi)啟時(shí)間：500ns

•模擬電流量程（連續(xù)）：25mA

•無(wú)閂鎖

•取代DG201

HI-201/883的主要應(yīng)用：

•高頻模擬切換

•采樣和保持電路

•數(shù)字濾波器

•運(yùn)算放大器增益開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)