三星電子公布了全球首款單芯片1TB UFS2.1閃存，該款嵌入式閃存標志著智能存儲將邁入TB級別。

據(jù)三星官方介紹，該閃存是將16個堆疊的三星512千兆位(Gb)V-NAND閃存和新開發(fā)的專有閃存控制器組合在一起。

相比之前的512G版本，在相同封裝尺寸內(nèi)，1TB的 eUFS解決方案將容量提升了一倍，新的eUFS速度高達1000MB/s，隨機讀寫分別為58000 IOPS和50000 IOPS，相比512GB提升38%。

同時這也意味著三星今年的旗艦機型上都將會有1TB存儲的版本，最先搭載的應(yīng)該就是即將亮相的三星GalaxyS10系列。