根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出,受到高運算量終端設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心需求的帶動,2017年全球晶圓代工總產(chǎn)值約573億美元,較2016年成長7.1%,全球晶圓代工產(chǎn)值連續(xù)五年年成長率高于5%。
從應(yīng)用來看,高運算量相關(guān)應(yīng)用持續(xù)帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對先進工藝的需求,2017年10nm工藝節(jié)點開始放量,估計2017年全年10nm節(jié)點營收將占晶圓代工整體市場的6.5%。而2017年半導(dǎo)體整體產(chǎn)值年成長率7.1%當(dāng)中,超過95%的成長動能來自10nm的銷售貢獻,顯示10nm工藝的開出成為2017年晶圓代工產(chǎn)值成長最重要的引擎。
觀察2017年全球前十大晶圓代工業(yè)者排名,整體排名與2016年相同,臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電分居前三,其中臺積電產(chǎn)能規(guī)模龐大加上高于全球平均水平的年成長率,市占率達55.9%,持續(xù)拉大與競爭者的距離;全球排名第二的格羅方德受惠于新產(chǎn)能的開出與產(chǎn)能利用率提升,2017年營收呈現(xiàn)年增8.2%的相對高成長表現(xiàn)。
在晶圓代工市場排名第三的聯(lián)電于今年量產(chǎn)14nm,但僅占全年營收約1%,然而,在整體產(chǎn)能提升與產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)換帶動下,實際營收年成長率達6.8%;而與臺積電同為10nm工藝技術(shù)先驅(qū)的三星(Samsung),則因采用的大客戶僅有高通(Qualcomm),致使成長受限,排名第四;排名第五的中芯雖然持續(xù)擴大資本支出,然而,受限于2017年實際開出的產(chǎn)能有限與28nm良率的瓶頸未突破,使得成長率低于全球市場平均。
高塔半導(dǎo)體(TowerJazz)及華虹宏力則透過產(chǎn)能擴增,在市場對8吋廠需求持續(xù)暢旺下,帶來大于10%的年成長;力晶則因調(diào)升代工業(yè)務(wù)比重,交出高成長率成績單。
另一方面,在5G與電動車的需求驅(qū)使下,可觀察到晶圓代工業(yè)者積極的投入第三代半導(dǎo)體材料GaN及SiC的開發(fā),如臺積電提供GaN的代工服務(wù)及X-Fab公布SiC晶圓代工業(yè)務(wù)將于2017第四季貢獻營收。
展望2018年,除7nm先進工藝節(jié)點將帶動整體產(chǎn)值之外,在2018年為5G試營運重要的觀察年下,第三代半導(dǎo)體的代工服務(wù)所帶來的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈變化,同為市場值得關(guān)注的重點。