全面的寬禁帶器件組合實現(xiàn)高性能充電方案

　　2021年6月8日—推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 （ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 （SiC） MOSFET 2-PACK模塊，進一步增強其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車 （EV） 市場的產(chǎn)品系列。

　　隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網(wǎng)絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點，緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面臨的挑戰(zhàn)。

　　新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊，基于平面技術，適合18 V到20 V范圍內的驅動電壓，易于用負門極電壓驅動。它的較大裸芯片與溝槽式MOSFET相比，降低了熱阻，從而在相同的工作溫度下降低了裸芯片溫度。

　　NXH010P120MNF配置為2-PACK半橋架構，是采用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳，是工業(yè)應用的理想選擇，且嵌入的一個負溫系數(shù) （NTC） 熱敏電阻有助于溫度監(jiān)測。

　　新的SiC MOSFET模塊是安森美半導體電動車充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分，被設計為與NCD5700x器件等驅動器方案一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。

　　NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A）適合高速工作，因為典型傳播延遲為60 ns。

　　安森美半導體的 SiC MOSFET與新的模塊和門極驅動器相輔相成，比類似的硅器件提供更勝一籌的開關性能和增強的散熱性，令能效和功率密度更高，電磁干擾 （EMI） 得以改善，并減小系統(tǒng)尺寸和重量。

　　最近發(fā)布的 650 V SiC MOSFET 采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，使（RDS（on）*area） 的品質因數(shù) （FoM） 達到同類最佳。該系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市場上采用D2PAK7L / TO247 封裝的具有最低RDS（on） 的MOSFET。

　　1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小，減少了器件電容和門極電荷（Qg - 低至220 nC），從而減少電動車充電樁所需高頻工作的開關損耗。

　　在 APEC 2021 期間，安森美半導體將展示用于工業(yè)應用的 SiC方案，并在展商研討會上介紹電動車非車載充電方案。