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    mos管開關(guān)電路_pwm驅(qū)動mos管開關(guān)電路圖
  • mos管開關(guān)電路_pwm驅(qū)動mos管開關(guān)電路圖
  •   發(fā)布日期: 2021-08-15  瀏覽次數(shù): 1,765

    MOS管開關(guān)電路是利用一種電路,是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關(guān)電路也主要分為兩種。本文為大家?guī)砣Npwm驅(qū)動mos管開關(guān)電路解析。

    常見pwm驅(qū)動mos管開關(guān)電路

    IRF540就是很常用的MOS管了,特殊負(fù)載如H橋里面的雙MOS驅(qū)動。有專用的驅(qū)動芯片如IR2103

    如果只是單個MOS管的普通驅(qū)動方式像這種增強型NMOS管直接加一個電阻限流即可。由于MOS管內(nèi)部有寄生電容有時候為了加速電容放電,會在限流電阻反向并聯(lián)一個二極管。

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    用于NMOS的驅(qū)動電路和用于PMOS的驅(qū)動電路

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    針對NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析:

    Vl和Vh分別是低端和高端的電源,兩個電壓可以是相同的,但是Vl不應(yīng)該超過Vh。

    Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱,用來實現(xiàn)隔離,同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導(dǎo)通。

    R2和R3提供了PWM電壓基準(zhǔn),通過改變這個基準(zhǔn),可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。

    Q3和Q4用來提供驅(qū)動電流,由于導(dǎo)通的時候,Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降,這個壓降通常只有0.3V左右,大大低于0.7V的Vce。

    R5和R6是反饋電阻,用于對gate電壓進行采樣,采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個強烈的負(fù)反饋,從而把gate電壓限制在一個有限的數(shù)值。這個數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié)。

    最后,R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制,R4提供了對MOS管的gate電流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。

    這個電路提供了如下的特性:

    1,用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。

    2,用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管。

    3,gate電壓的峰值限制

    4,輸入和輸出的電流限制

    5,通過使用合適的電阻,可以達(dá)到很低的功耗。

    6,PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性,可以通過前置一個反相器來解決。


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