MOSFET是電路中最基本的元器件，其憑借著開關速度快、導通電壓低、電壓驅動簡單等特點，被廣泛應用在各個電子領域之中，其中不乏汽車電子領域方面。

眾所周知，汽車電子領域對電子產品和元件的把控都有著嚴格的要求，比如，電子產品的抗干擾能力要強，以防止汽車被干擾而導致系統(tǒng)故障；電子產品的體積要盡可能的小，以適應汽車體積的限制；在正常運行下自身不可以有過高的噪聲和電磁干擾，以防止干擾汽車上其他電子設備。

因此，東芝就以上需求推出了一款以小型貼片式TSON Advance（WF）封裝的MOSFET為主導的產品——XPN3R804NC，來解決車載電子領域中設備體積大，抗干擾能力差，效率低等問題。

電氣特性分析

XPN3R804NC具有以下特點：

采用帶有可焊錫側翼引腳結構的小型貼片式TSON Advance（WF）的封裝，尺寸縮小至3.3mm×3.6mm（典型值）；

低導通電阻：RDS（ON）＝3.8mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN3R804NC）；

低漏電流：IDSS＝10µA（最大值）（VDS＝40V）；

增強型MOS：Vth＝1.5V-2.5V（VDS＝10V，ID＝0.3mA）；

符合AEC-Q101認證。

具體參數(shù)如下：

（Ta＝25℃）

結構特性分析

XPN3R804NC采用的是東芝第8代U-MOSⅧ-H結構，是高速溝槽結構的MOSFET。U-MOSⅧ-H是高效MOSFET系列之一，其主要應用于AC-DC和DC-DC電源電路設計方案之中。

U-MOSⅧ-H采用最新的溝槽MOS工藝和優(yōu)化的器件結構設計，在導通電阻和電容（如輸入，反向傳輸和輸出電容）之間實現(xiàn)了出色的平衡關系。而且采用的U-MOSⅧ-H結構可以有助于提高電源效率，與之前的舊產品相比，除了降低設備功耗之外還可以降低輻射噪聲。十分適合應用于汽車電子領域之中。

應用場景

XPN3R804NC憑借其電源效率高、低功耗、小型貼片式TSON Advance（WF）封裝和抗干擾能力強等優(yōu)勢，可以被應用于車載設備、開關穩(wěn)壓器、DC-DC轉換器和電機驅動器等汽車電子領域方面的產品中。

作為一家在MOSFET應用方面深耕多年的企業(yè)，東芝半導體憑借著對汽車電子市場敏銳的洞察能力和不斷地產品迭代創(chuàng)新的科技力量，致力于為全球客戶提供先進的產品與優(yōu)秀的解決方案。未來，東芝也會堅持在技術設計上改進創(chuàng)新，推動車用MOSFET市場發(fā)展。