MOSFET是電路中最基本的元器件,其憑借著開關速度快、導通電壓低、電壓驅(qū)動簡單等特點,被廣泛應用在各個電子領域之中,其中不乏汽車電子領域方面。
眾所周知,汽車電子領域?qū)﹄娮赢a(chǎn)品和元件的把控都有著嚴格的要求,比如,電子產(chǎn)品的抗干擾能力要強,以防止汽車被干擾而導致系統(tǒng)故障;電子產(chǎn)品的體積要盡可能的小,以適應汽車體積的限制;在正常運行下自身不可以有過高的噪聲和電磁干擾,以防止干擾汽車上其他電子設備。
因此,東芝就以上需求推出了一款以小型貼片式TSON Advance(WF)封裝的MOSFET為主導的產(chǎn)品——XPN3R804NC,來解決車載電子領域中設備體積大,抗干擾能力差,效率低等問題。
電氣特性分析
XPN3R804NC具有以下特點:
采用帶有可焊錫側(cè)翼引腳結(jié)構(gòu)的小型貼片式TSON Advance(WF)的封裝,尺寸縮小至3.3mm×3.6mm(典型值);
低導通電阻:RDS(ON)=3.8mΩ(最大值)@VGS=10V(XPN3R804NC);
低漏電流:IDSS=10µA(最大值)(VDS=40V);
增強型MOS:Vth=1.5V-2.5V(VDS=10V,ID=0.3mA);
符合AEC-Q101認證。
具體參數(shù)如下:
(Ta=25℃)
結(jié)構(gòu)特性分析
XPN3R804NC采用的是東芝第8代U-MOSⅧ-H結(jié)構(gòu),是高速溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET。U-MOSⅧ-H是高效MOSFET系列之一,其主要應用于AC-DC和DC-DC電源電路設計方案之中。
U-MOSⅧ-H采用最新的溝槽MOS工藝和優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)設計,在導通電阻和電容(如輸入,反向傳輸和輸出電容)之間實現(xiàn)了出色的平衡關系。而且采用的U-MOSⅧ-H結(jié)構(gòu)可以有助于提高電源效率,與之前的舊產(chǎn)品相比,除了降低設備功耗之外還可以降低輻射噪聲。十分適合應用于汽車電子領域之中。
應用場景
XPN3R804NC憑借其電源效率高、低功耗、小型貼片式TSON Advance(WF)封裝和抗干擾能力強等優(yōu)勢,可以被應用于車載設備、開關穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動器等汽車電子領域方面的產(chǎn)品中。
作為一家在MOSFET應用方面深耕多年的企業(yè),東芝半導體憑借著對汽車電子市場敏銳的洞察能力和不斷地產(chǎn)品迭代創(chuàng)新的科技力量,致力于為全球客戶提供先進的產(chǎn)品與優(yōu)秀的解決方案。未來,東芝也會堅持在技術設計上改進創(chuàng)新,推動車用MOSFET市場發(fā)展。