? ? ? ? 對(duì)于需要通過大電流的功率器件半導(dǎo)體，通常使用粗鋁線楔形鍵合連接其電極和外部端子。該方法的特征在于，不形成焊球，直接將引線以楔形方式(或針腳鍵合)做二次鍵合，其程序如圖4.3所示。將導(dǎo)線楔合到半導(dǎo)體上的焊盤上(第一鍵合點(diǎn))，在走線的同時(shí)形成線弧，并在外部端子側(cè)的電極(例如基板)上進(jìn)行第二鍵合點(diǎn)的鍵合，然后使用切割工具切斷引線以完成整個(gè)鍵合過程，焊接參數(shù)包括超聲波輸出功率和壓力、超聲作用時(shí)間和頻率等。在鍵合時(shí)，通過毛細(xì)管劈刀施加壓力以使引線和電極變形，再加上超聲振動(dòng)，完成電線和電極的固相鍵合。
在楔形鍵合中，引線的鍵合方向與超聲波的方向平行，以便在不使用焊球的情況下，增加鍵合面積并確保鍵合強(qiáng)度。與球形鍵合需要加熱不同的是，楔形鍵合一般在室溫下進(jìn)行，這是由于線材的差別，用于楔形鍵合的鋁在常溫下也比較容易鍵合。

引線鍵合技術(shù)的分類
楔形健合 球形鍵合 $31
引線材料 鋁 金 銅 覆鈀銅
引線直徑/μm 20～500 18～50 25～200 15-50
主要用途 功率半導(dǎo)體，
分立IC LSI高密度封裝 后i
分立半導(dǎo)體 ISI半導(dǎo)體 LSI半導(dǎo)體，
就線徑來說，功率器件應(yīng)用需要大電流，因此使用線徑為50～500μm的粗線。ISI半導(dǎo)體通常則使用線徑為20～35μm的細(xì)線。此外，在最新移動(dòng)設(shè)備的LSI半導(dǎo)體中，高密度封裝迅速發(fā)展，越來越多地使用直徑13～18μm的超細(xì)線。人們根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)、應(yīng)用和所需的性能等選擇適當(dāng)?shù)逆I合線的形式、材料和尺寸。