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■耐壓：通常所說的VDS，或者說是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來定義這個參數(shù)的呢？
■上面這個例子顯示，當驅(qū)動電壓為0，Vds達到200V的時候，Id這個電流達到了250uA，這個時候認為已經(jīng)達到擊穿電壓。
■不同的廠家對此定義略有不同，但是基本上來說，當電壓超過擊穿電壓，MOS的漏電流就會急劇上升。
■導通電阻：
■MOSFET在導通之后，其特性可以近似認為是一個電阻
■上面這個例子表示，在驅(qū)動電壓為10V的時候，導通電阻為0.18歐姆
■導通電阻的溫度關系：
■MOS的導通電阻隨溫度上升而上升，下圖顯示該MOS的導通電阻在結溫為140度的時候，為20度時候的2倍。
■導通閥值電壓：就是當驅(qū)動電壓到達該值之后，可認為MOS已經(jīng)開通。
■上面這個例子，可以看到當Vgs達到2-4V的時候，MOS電流就上升到250uA。這時候可認為MOS已經(jīng)開始開通。
■驅(qū)動電壓和導通電阻，最大導通電流之間的關系
■從下圖可以看到，驅(qū)動電壓越高，實際上導通電阻越小，而且最大導通電流也越大
■導通閥值電壓隨溫度上升而下降
■MOSFET的寄生二極管
■寄生二極管比較重要的特性，就是反向恢復特性。這個在ZVS，同步整流等應用中顯得尤為重要。
■MOSFET的寄生電容
■這三個電容的定義如下：
■MOS的寄生電容都是非線性電容，其容值和加在上面的電壓有關。所以一般的MOS廠家還會用另外一個參數(shù)來描述這個特性：
■用電荷來描述
MOS管的驅(qū)動技術，下面我們用實例來詳解
首先，來做一個實驗，把一個MOSFET的G懸空，然后在DS上加電壓，那么會出現(xiàn)什么情況呢？很多工程師都知道，MOS會導通甚至擊穿。這是為什么呢？因為我根本沒有加驅(qū)動電壓，MOS怎么會導通？用下面的圖，來做個仿真：
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去探測G極的電壓，發(fā)現(xiàn)電壓波形如下：
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G極的電壓居然有4V多，難怪MOSFET會導通，這是因為MOSFET的寄生參數(shù)在搗鬼。
關于MOSFET的寄生參數(shù)的描述，可以參考蜘蛛先生的帖子：https://bbs.dianyuan.com/topic/579603
這種情況有什么危害呢？實際情況下，MOS肯定有驅(qū)動電路的么，要么導通，要么關掉。問題就出在開機，或者關機的時候，最主要是開機的時候，此時你的驅(qū)動電路還沒上電。但是輸入上電了，由于驅(qū)動電路沒有工作，G級的電荷無法被釋放，就容易導致MOS導通擊穿。那么怎么解決呢？
在GS之間并一個電阻.
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那么仿真的結果呢:
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幾乎為0V.
什么叫驅(qū)動能力，很多PWM芯片，或者專門的驅(qū)動芯片都會說驅(qū)動能力，比如384X的驅(qū)動能力為1A，其含義是什么呢？
假如驅(qū)動是個理想脈沖源，那么其驅(qū)動能力就是無窮大，想提供多大電流就給多大。但實際中，驅(qū)動是有內(nèi)阻的，假設其內(nèi)阻為10歐姆，在10V電壓下，最多能提供的峰值電流就是1A，通常也認為其驅(qū)動能力為1A。
那什么叫驅(qū)動電阻呢，通常驅(qū)動器和MOS的G極之間，會串一個電阻，就如下圖的R3。
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驅(qū)動電阻的作用，如果你的驅(qū)動走線很長，驅(qū)動電阻可以對走線電感和MOS結電容引起的震蕩起阻尼作用。但是通常，現(xiàn)在的PCB走線都很緊湊，走線電感非常小。
第二個，重要作用就是調(diào)解驅(qū)動器的驅(qū)動能力，調(diào)節(jié)開關速度。當然只能降低驅(qū)動能力，而不能提高。
對上圖進行仿真，R3分別取1歐姆，和100歐姆。下圖是MOS的G極的電壓波形上升沿。
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紅色波形為R3=1歐姆，綠色為R3=100歐姆。可以看到，當R3比較大時，驅(qū)動就有點力不從心了，特別在處理米勒效應的時候，驅(qū)動電壓上升很緩慢。
下圖，是驅(qū)動的下降沿
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那么驅(qū)動的快慢對MOS的開關有什么影響呢？下圖是MOS導通時候DS的電壓：
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紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大，MOS的導通速度越慢。
下圖是電流波形
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紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢奟3越大，MOS的導通速度越慢。
可以看到，驅(qū)動電阻增加可以降低MOS開關的時候得電壓電流的變化率。比較慢的開關速度，對EMI有好處。下圖是對兩個不同驅(qū)動情況下，MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到
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紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢姡?qū)動電阻大的時候，高頻諧波明顯變小。
但是驅(qū)動速度慢，又有什么壞處呢？那就是開關損耗大了，下圖是不同驅(qū)動電阻下，導通損耗的功率曲線。
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紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?，驅(qū)動電阻大的時候，損耗明顯大了。
結論：驅(qū)動電阻到底選多大？還真難講，小了，EMI不好，大了，效率不好。
所以只能一個折中的選擇了。
那如果，開通和關斷的速度要分別調(diào)節(jié)，怎么辦？就用以下電路。
MOSFET的自舉驅(qū)動.
對于NMOS來說，必須是G極的電壓高于S極一定電壓才能導通。那么對于對S極和控制IC的地等電位的MOS來說，驅(qū)動根本沒有問題，如上圖。
但是對于一些拓撲，比如BUCK（開關管放在上端），雙管正激，雙管反激，半橋，全橋這些拓撲的上管，就沒辦法直接用芯片去驅(qū)動，那么可以采用自舉驅(qū)動電路。
看下圖的BUCK電路：
加入輸入12V，MOS的導通閥值為3V，那么對于Q1來說，當Q1導通之后，如果要維持導通狀態(tài)，Q1的G級必須保證15V以上的電壓，因為S級已經(jīng)有12V了。
那么輸入才12V，怎么得到15V的電壓呢？
其實上管Q1驅(qū)動的供電在于 Cboot。
看下圖，芯片的內(nèi)部結構：
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Cboot是掛在boot和LX之間的，而LX卻是下管的D級，當下管導通的時候，LX接地，芯片的內(nèi)部基準通過Dboot（自舉二極管）對Cboot充電。當下管關，上管通的時候，LX點的電壓上升，Cboot上的電壓自然就被舉了起來。這樣驅(qū)動電壓才能高過輸入電壓。
當然芯片內(nèi)部的邏輯信號在提供給驅(qū)動的時候，還需要Level shift電路，把信號的電平電壓也提上去。
Buck電路，現(xiàn)在有太多的控制芯片集成了自舉驅(qū)動，讓整個設計變得很簡單。但是對于，雙管的，橋式的拓撲，多數(shù)芯片沒有集成驅(qū)動。那樣就可以外加自舉驅(qū)動芯片，48V系統(tǒng)輸入的，可以采用Intersil公司的ISL21XX，HIP21XX系列。如果是AC/DC中，電壓比較高的，可以采用IR的IR21XX系列。
下圖是ISL21XX的內(nèi)部框圖。
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其核心的東西，就是紅圈里的boot二極管，和Level shift電路
ISL21XX驅(qū)動橋式電路示意圖：
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驅(qū)動雙管電路：
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驅(qū)動有源鉗位示意圖：
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當然以上都是示意圖，沒有完整的外圍電路，但是外圍其實很簡單，參考datasheet即可。
隔離驅(qū)動。當控制和MOS處于電氣隔離狀態(tài)下，自舉驅(qū)動就無法勝任了，那么就需要隔離驅(qū)動了。下面來討論隔離驅(qū)動中最常用的，變壓器隔離驅(qū)動。
看個最簡單的隔離驅(qū)動電路，被驅(qū)動的對象是Q1。?
驅(qū)動源參數(shù)為12V ，100KHz， D=0.5。
驅(qū)動變壓器電感量為200uH，匝比為1：1。
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紅色波形為驅(qū)動源V1的輸出，綠色為Q1的G級波形。可以看到，Q1-G的波形為具有正負電壓的方波，幅值6V了。
為什么驅(qū)動電壓會下降呢，是因為V1的電壓直流分量，完全被C1阻擋了。所以C1也稱為隔直電容。
下圖為C1上的電壓。
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其平均電壓為6V，但是峰峰值，卻有2V，顯然C1不夠大，導致驅(qū)動信號最終不夠平。那么把C1變?yōu)?70n。Q1-G的電壓波形就變成如下：
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驅(qū)動電壓變得平緩了些。如果把驅(qū)動變壓器的電感量增加到500uH。驅(qū)動信號就如下圖：
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驅(qū)動信號顯得更為平緩。
從這里可以看到，這種驅(qū)動，有個明顯的特點，就是驅(qū)動電平，最終到達MOS的時候，電壓幅度減小了，具體減小多少呢，應該是D*V,D為占空比，那么如果D很大的話，驅(qū)動電壓就會變得很小，如下圖，D=0.9
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發(fā)現(xiàn)驅(qū)動到達MOS的時候，正壓不到2V了。顯然這種驅(qū)動不適合占空比大的情況。
從上面可以看到，在驅(qū)動工作的時候，其實C1上面始終有一個電壓存在，電壓平均值為
V*D，也就是說這個電容存儲著一定的能量。那么這個能量的存在，會帶來什么問題呢？
下面模擬驅(qū)動突然掉電的情況：
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可見，在驅(qū)動突然關掉之后，C1上的能量，會引起驅(qū)動變的電感，C1以及mos的結電容之間的諧振。如果這個諧振電壓足夠高的話，就會觸發(fā)MOS，對可靠性帶來危害。
那么如何來降低這個震蕩呢，在GS上并個電阻，下圖是并了1K電阻之后波形：
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但是這個電阻會給驅(qū)動帶來額外的損耗。
如何傳遞大占空比的驅(qū)動：
看一個簡單的驅(qū)動電路。
當D=0.9的時候
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紅色波形為驅(qū)動源輸出，綠色為到達MOS的波形。基本保持了驅(qū)動源的波形。
同樣，這個電路在驅(qū)動掉電的時候，比如關機，也會出現(xiàn)震蕩。
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而且似乎這個問題比上面的電路還嚴重。
下面嘗試降低這個震蕩，首先把R5改為1K
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確實有改善，但問題還是嚴重，繼續(xù)在C2上并一個1K的電阻。
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綠色的波形，確實更改善了一些，但是問題還是存在。這是個可靠性的隱患。
對于這個問題如何解決呢？可以采用soft stop的方式來關機。soft stop其實就是soft start的反過程，就是在關機的時候，讓驅(qū)動占空比從大往小變化，直到關機。很多IC已經(jīng)集成了該功能。
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可看到，驅(qū)動信號在關機的時候，沒有了上面的那些震蕩。
對于半橋，全橋的驅(qū)動，由于具有兩相驅(qū)動，而且相位差為180度，那么如何用隔離變壓器來驅(qū)動呢？
采用一拖二的方式，可以來驅(qū)動兩個管子。
下圖，是兩個驅(qū)動源的波形：
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通過變壓器傳遞之后，到達MOS會變成如下：
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在有源鉗位，不對稱半橋，以及同步整流等場合，需要一對互補的驅(qū)動，那么怎么用一路驅(qū)動來產(chǎn)生互補驅(qū)動，并且形成死區(qū)?？捎孟聢D。
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波形如下圖：
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MOSFET的并聯(lián)驅(qū)動，由于MOS經(jīng)常采用并聯(lián)的方式工作，那么驅(qū)動又該如何設計呢？
是這樣
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還是這樣？
MOS并聯(lián)，對驅(qū)動的一致性要求就很高了，如果導通，關斷時間不一致，會導致其中一個MOS開關損耗劇增。所以在軟開關電路上，用MOS并聯(lián)問題比較少，但是硬開關電路，就要小心了。下面用仿真來看現(xiàn)象，假設兩個MOS并聯(lián)，而且MOS的參數(shù)完全一樣。
但是驅(qū)動走線的寄生參數(shù)有很大不同。
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R2，R4，L1，L2都為驅(qū)動走線的寄生參數(shù)。那么下圖為，導通時候，兩個mos的電流
基本上還算一致。
接下去，把兩個驅(qū)動電阻并聯(lián)起來一起去驅(qū)動兩MOS，
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再看導通時候的電流波形：
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兩管子的電流波形，均出現(xiàn)劇烈震蕩。
Pmos的驅(qū)動：
下圖為Pmos
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Pmos要求GS的電壓是負的，也就是G的電壓要比S的低，才能導通。那么，如果SD承受高壓，G只要比S的電壓低一點就能導通，但是一旦SD導通，G必須維持負壓才能導通。
而GS的耐壓是很低的，這就很麻煩了。一般在電源中最常見的Pmos應用，就有有源鉗位
有源鉗位的Pmos，是S級接地的，那么要保持導通，G級必須要有負壓才行。那么如何產(chǎn)生負壓呢，可以采用下圖驅(qū)動方式：
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那么波形可見：
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