? ? ? ?低壓MOS管種類還是很多，低壓從名字看就是看電壓分類的，低電壓的MOS管，主要有20V到200V，-20V到-100V的居多，其他的一些也有，但是不常見(jiàn)。

? ?常用的低壓MOS管有如下型號(hào)：RY10N10? TO-252封裝， 10A 100MR內(nèi)阻 100V電壓，RY20N10,RY15N10 TO-252封裝，RY1006? SOP-8封裝，10A 60V? 11MR內(nèi)阻， RY50N06? TO-252封裝，50A 11MR內(nèi)阻60V.RY60N03 TO-252封裝，RY30N03,RY40N03 RY20N03 都是TO-252封裝的。RY120N04? 120A? 40V? TO-252，可代替新潔能NCE40H12K,完美代替。RY100N03 TO-252，這里因?yàn)樾吞?hào)太多，就不一一列舉。

? ? ? ? 低壓MOS管四大重要參數(shù):1、電壓規(guī)格(VDSS) 2、電流規(guī)格(In) 3、mos飽和導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) 4、封裝形式 低壓MOS管

? ? ? ? ?四大選型要點(diǎn)

1、用N溝道orP溝道 選擇好MOS管器件的首要一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。

2、確定MOS管的額定電流 該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的很大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的很大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)很大電流的器件便可。

3、選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求 須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。

4、選擇MOS管的最后一步是決定MOS管的開(kāi)關(guān)性能 影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，要計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。