簡(jiǎn)介sc-l和食人魚（H2SO4/H2O2）清潔劑多年來(lái)一直用于去除顆粒物和有機(jī)污染物。雖然SC-1清潔劑（通常與外加的兆頻超聲波功率一起使用）被認(rèn)為在顆粒去除方面非常有效，但去除機(jī)理仍不清楚。食人魚清洗是去除重有機(jī)污染物的有效方法；然而，食人魚后的殘留物會(huì)牢牢粘附在晶片表面，導(dǎo)致顆粒生長(zhǎng)。已經(jīng)進(jìn)行了一系列實(shí)驗(yàn)，以幫助理解這些工藝與硅之間的相互作用

實(shí)驗(yàn)
以評(píng)估食人魚清洗后晶片上剩余的硫量，150 mm n型裸硅和熱氧化晶片在95°C下用5:1或10:1（氫、硫、氫、氧）食人魚處理10分鐘。在對(duì)沖洗過(guò)程進(jìn)行各種修改后，使用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-Sims）和全反射X射線熒光光譜（TXRF）測(cè)量殘余硫。在清潔和干燥晶圓后，還測(cè)量了光斑缺陷隨時(shí)間的變化。經(jīng)過(guò)食人魚處理后，晶片顯示出顆粒生長(zhǎng)。這些分析技術(shù)的數(shù)據(jù)用于評(píng)估各種沖洗技術(shù)的功效結(jié)果與討論
在SC-1化學(xué)品的研究中，清洗效率與稀釋或霧度增加時(shí)測(cè)得的開路電位有關(guān)。使用SC-1化學(xué)品。圖1顯示了基于去除硅酸鈉顆粒的夾具去除效率。這些實(shí)驗(yàn)是在已知影響硅蝕刻的條件下進(jìn)行的（n型和p型硅<；100>；，有照明）。圖2顯示了相同數(shù)量的霧度增量pyybagg

圖1 作為晶片類型和照明條件的函數(shù)的LPD去除

圖2 作為晶片類型和光照條件的函數(shù)的霧度

PyBagg
3ycaneggaabx0yqt7p0432。PNG×圖2霾霾值作為晶片類型和照明條件的函數(shù)可能與表面粗糙度有關(guān)，這是由基質(zhì)中的優(yōu)先硅{ 100 }蝕刻所引起的基礎(chǔ)介導(dǎo)的。如您所見，導(dǎo)致霧度和蝕刻增加的條件與粒子移動(dòng)效率的增加無(wú)關(guān)（見圖1）。當(dāng)在親晶晶片上使用不含H202的充分稀釋的氨溶液時(shí)，硅的堿性侵蝕和粗糙度最小化，但顆粒仍然有效去除。當(dāng)疏水裸硅晶片用稀氨溶液處理時(shí)，霧度顯著增加。SC-1預(yù)清洗步驟產(chǎn)生的薄化學(xué)氧化物似乎足以抑制極稀氨性蝕刻中硅表面的堿。這些數(shù)據(jù)表明，硅的蝕刻不是有效清潔的必要條件。為了了解強(qiáng)聲波在顆粒去除中的物理機(jī)理，需要建立清洗槽內(nèi)聲壓場(chǎng)的預(yù)測(cè)模型。使用光線追蹤法，將計(jì)算的一維壓力場(chǎng)與測(cè)量值進(jìn)行比較，如圖3所示。為了在沒有反射的情況下獲得力的測(cè)量值，實(shí)驗(yàn)傳感器工作在脈沖模式下，脈沖持續(xù)時(shí)間約為50微秒。該建模方法與實(shí)測(cè)值吻合良好，可用于預(yù)測(cè)各種儲(chǔ)罐幾何形狀下的壓力場(chǎng)，最終可用于優(yōu)化未來(lái)工具

過(guò)氧化硫酸（食人魚）沖洗：
食人魚清洗后，清洗后殘留在晶片上的硫污染物將牢固粘附在硅表面。當(dāng)晶圓暴露在潔凈室的空氣中時(shí)，隨著時(shí)間的推移，殘余的硫會(huì)產(chǎn)生顆粒污染。圖4所示的食人魚清潔晶片的TOF-SIMS負(fù)離子和正離子圖像顯示，顆粒由“Sox”和NH4組成。已發(fā)現(xiàn)，向食人魚反洗槽中添加少量的氫氧化物（例如，足以達(dá)到pH=10）可以有效降低硫的表面濃度，并減少食人魚引起的顆粒生長(zhǎng)。通過(guò)全反射X射線熒光（TXRF）測(cè)量的硫濃度如圖5所示，用于堿性清洗和去離子水中清洗

圖4 TOF-SIMS負(fù)（左）和正（右）

圖5 堿性和去離子水沖洗后的表面硫濃度

124該模型將允許浴缸制造商根據(jù)第一原則

根據(jù)食人魚清潔和沖洗的順序計(jì)算清潔性能，硫會(huì)殘留在硅片表面。當(dāng)晶片儲(chǔ)存在潔凈室環(huán)境中時(shí)，該殘留物形成顆粒物質(zhì)。TOF-SIMS用于確定這些顆粒為硫酸Hyun。在食人魚之后，使用堿性沖洗液（例如，pH=10）可以有效降低殘余硫濃度，從而隨著時(shí)間的推移抑制顆粒形成。