本文主要是關(guān)于二極管R3000與R3000F的相關(guān)介紹,并著重對(duì)二極管R3000與R3000F進(jìn)行了詳盡的對(duì)比分析。
二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷 (稱為逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。
早期的真空電子二極管;它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來講,晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場。當(dāng)外加電壓等于零時(shí),由于p-n 結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。早期的二極管包含“貓須晶體(“Cat‘s Whisker” Crystals)”以及真空管(英國稱為“熱游離閥(Thermionic Valves)”)?,F(xiàn)今最普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。
用途分類
檢波二極管
檢波二極管的主要作用是把高頻信號(hào)中的低頻信號(hào)檢出。它們的結(jié)構(gòu)為點(diǎn)接觸型,所以其結(jié)電容較小,工作頻率較高。一般都采用鍺材料制成。就原理而言,從輸入信號(hào)中取出調(diào)制信號(hào)是檢波,以整流電流的大小(100mA)作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點(diǎn)接觸型、工作頻率可達(dá)400MHz,正向壓降小,結(jié)電容小,檢波效率高,頻率特性好,為2AP型。類似點(diǎn)觸型那樣檢波用的二極管,除用于檢波外,還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。
2.整流二極管
就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大?。?00mA)作為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結(jié)型,因此結(jié)電容較大,一般為3kHZ以下。最高反向電壓從25伏至3000伏分A~X共22檔。分類如下:①硅半導(dǎo)體整流二極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用于電視機(jī)高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。
3.限幅二極管
二極管正向?qū)ê?,它的正向壓降基本保持不變(硅管?.7V,鍺管為0.3V)。利用這一特性,在電路中作為限幅元件,可以把信號(hào)幅度限制在一定范圍內(nèi)。
大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保護(hù)儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強(qiáng)的限制尖銳振幅的作用,通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售:依據(jù)限制電壓需要,把若干個(gè)必要的整流二極管串聯(lián)起來形成一個(gè)整體。
4.調(diào)制二極管
通常指的是環(huán)形調(diào)制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個(gè)二極管的組合件。即使其它變?nèi)荻O管也有調(diào)制用途,但它們通常是直接作為調(diào)頻用。
5.混頻二極管
使用二極管混頻方式時(shí),在500~10,000Hz的頻率范圍內(nèi),多采用肖特基型和點(diǎn)接觸型二極管。
6.放大二極管
用二極管放大,大致有依靠隧道二極管和體效應(yīng)二極管那樣的負(fù)阻性器件的放大,以及用變?nèi)荻O管的參量放大。因此,放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應(yīng)二極管和變?nèi)荻O管。
7.開關(guān)二極管
二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導(dǎo)通狀態(tài),相當(dāng)于一只接通的開關(guān);在反向電壓作用下,電阻很大,處于截止?fàn)顟B(tài),如同一只斷開的開關(guān)。利用二極管的開關(guān)特性,可以組成各種邏輯電路。
有在小電流下(10mA程度)使用的邏輯運(yùn)算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵(lì)用開關(guān)二極管。小電流的開關(guān)二極管通常有點(diǎn)接觸型和鍵型等二極管,也有在高溫下還可能工作的硅擴(kuò)散型、臺(tái)面型和平面型二極管。開關(guān)二極管的特長是開關(guān)速度快。而肖特基型二極管的開關(guān)時(shí)間特短,因而是理想的開關(guān)二極管。2AK型點(diǎn)接觸為中速開關(guān)電路用;2CK型平面接觸為高速開關(guān)電路用;用于開關(guān)、限幅、鉗位或檢波等電路;肖特基(SBD)硅大電流開關(guān),正向壓降小,速度快、效率高。
8.變?nèi)荻O管
用于自動(dòng)頻率控制(AFC)和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓, ;使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此,被使用于自動(dòng)頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常,雖然是采用硅的擴(kuò)散型二極管,但是也可采用合金擴(kuò)散型、外延結(jié)合型、雙重?cái)U(kuò)散型等特殊制作的二極管,因?yàn)檫@些二極管對(duì)于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路,常用于電視機(jī)高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路,多以硅材料制作。
9.頻率倍增用二極管
對(duì)二極管的頻率倍增作用而言,有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍(即急變)二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器,可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變?nèi)荻O管的工作原理相同,但電抗器的構(gòu)造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復(fù)二極管,從導(dǎo)通切換到關(guān)閉時(shí)的反向恢復(fù)時(shí)間trr短,因此,其特長是急速地變成關(guān)閉的轉(zhuǎn)移時(shí)間顯著地短。如果對(duì)階躍二極管施加正弦波,那么,因tt(轉(zhuǎn)移時(shí)間)短,所以輸出波形急驟地被夾斷,故能產(chǎn)生很多高頻諧波。
10.穩(wěn)壓二極管
這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的,在電路中其兩端的電壓保持基本不變,起到穩(wěn)定電壓的作用。是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴(kuò)散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓使用而制作的。二極管工作時(shí)的端電壓(又稱齊納電壓)從3V左右到150V,按每隔10%,能劃分成許多等級(jí)。在功率方面,也有從200mW至100W以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài),硅材料制作,動(dòng)態(tài)電阻RZ很小,一般為2CW、2CW56等;將兩個(gè)互補(bǔ)二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型。
穩(wěn)壓二極管的溫度系數(shù)α:α表示溫度每變化1℃穩(wěn)壓值的變化量。穩(wěn)定電壓小于4V的管子具有負(fù)溫度系數(shù)(屬于齊納擊穿),即溫度升高時(shí)穩(wěn)定電壓值下降(溫度使價(jià)電子上升較高能量);穩(wěn)定電壓大于7V的管子具有正溫度系數(shù)(屬于雪崩式擊穿),即溫度升高時(shí)穩(wěn)定電壓值上升(溫度使原子振幅加大,阻礙載流子運(yùn)動(dòng));而穩(wěn)定電壓在4~7V之間的管子,溫度系數(shù)非常小,近似為零(齊納擊穿和雪崩擊穿均有)。
11.PIN型二極管(PIN Diode)
這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體(或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體)構(gòu)造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當(dāng)其工作頻率超過100MHz時(shí),由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和“本征”層中的渡越時(shí)間效應(yīng),其二極管失去整流作用而變成阻抗元件,并且,其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時(shí),“本征”區(qū)的阻抗很高;在直流正向偏置時(shí),由于載流子注入“本征”區(qū),而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài)。因此,可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)(即微波開關(guān))、移相、調(diào)制、限幅等電路中。
12.雪崩二極管(Avalanche Diode)
它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的:利用雪崩擊穿對(duì)晶體注入載流子,因載流子渡越晶片需要一定的時(shí)間,所以其電流滯后于電壓,出現(xiàn)延遲時(shí)間,若適當(dāng)?shù)乜刂贫稍綍r(shí)間,那么,在電流和電壓關(guān)系上就會(huì)出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng),從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。
13.江崎二極管(Tunnel Diode)
它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)。隧道電流由這些簡并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個(gè)條件:①費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶和滿帶內(nèi);②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡并半導(dǎo)體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級(jí)上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標(biāo)“P”代表“峰”;而下標(biāo)“V”代表“谷”。江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達(dá)毫米波段),也可以被應(yīng)用于高速開關(guān)電路中。
14.快速關(guān)斷(階躍恢復(fù))二極管(Step Recovary Diode)
它也是一種具有PN結(jié)的二極管。其結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)是:在PN結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū),從而形成“自助電場”。由于PN結(jié)在正向偏壓下,以少數(shù)載流子導(dǎo)電,并在PN結(jié)附近具有電荷存貯效應(yīng),使其反向電流需要經(jīng)歷一個(gè)“存貯時(shí)間”后才能降至最小值(反向飽和電流值)。階躍恢復(fù)二極管的“自助電場”縮短了存貯時(shí)間,使反向電流快速截止,并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設(shè)計(jì)出梳狀頻譜發(fā)生電路。快速關(guān)斷(階躍恢復(fù))二極管用于脈沖和高次諧波電路中。
15.肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)
它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。
可作為續(xù)流二極管,在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起續(xù)流作用。
16.阻尼二極管
阻尼二極管多用在高頻電壓電路中,具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正向壓降小,高頻高壓整流二極管,用在電視機(jī)行掃描電路作阻尼和升壓整流用。常用的阻尼二極管有2CN1、2CN2、BSBS44等。
17.瞬變電壓抑制二極管
TVP管,對(duì)電路進(jìn)行快速過壓保護(hù),分雙極型和單極型兩種,按峰值功率(500W-5000W)和電壓(8.2V~200V)分類。
18.雙基極二極管(單結(jié)晶體管)
兩個(gè)基極,一個(gè)發(fā)射極的三端負(fù)阻器件,用于張馳振蕩電路,定時(shí)電壓讀出電路中,它具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
19.發(fā)光二極管
用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成,體積小,正向驅(qū)動(dòng)發(fā)光。工作電壓低,工作電流小,發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠、藍(lán)單色光。隨著技術(shù)的進(jìn)步,近 來 研制成了白光高亮二極管,形成了LED照明這一新興產(chǎn)業(yè)。
還用于VCD、DVD、計(jì)算器等顯示器上。
20.、硅功率開關(guān)二極管
硅功率開關(guān)二極管具有高速導(dǎo)通與截止的能力。它主要用于大功率開關(guān)或穩(wěn)壓電路、直流變換器、高速電機(jī)調(diào)速及在驅(qū)動(dòng)電路中作高頻整流及續(xù)流箝拉,具有恢復(fù)特性軟、過載能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)、廣泛用于計(jì)算機(jī)、雷達(dá)電源、步進(jìn)電機(jī)調(diào)速等方面。
兩個(gè)可能差別有,R3000的正向壓降是3V,另一個(gè)是6V,好像芯片的大小上也的差,R3000 的IFSM為20A,R3000F是30A
通過用萬用表檢測其正、反向電阻值,可以判別出二極管的電極,還可估測出二極管是否損壞。
1.極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔,兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極,測出一個(gè)結(jié)果后,對(duì)調(diào)兩表筆,
再測出一個(gè)結(jié)果。兩次測量的結(jié)果中,有一次測量出的阻值較大(為反向電阻),一次測量出的阻值較?。檎螂娮瑁?/p>
在阻值較小的一次測量中,黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負(fù)極。
2.單負(fù)導(dǎo)電性能的檢測及好壞的判斷通常,鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右,反向電阻值為300左右。
硅材料二極管的電阻值為5 kΩ左右,反向電阻值為∞(無窮大)。正向電阻越小越好,反向電阻越大越好。
正、反向電阻值相差越懸殊,說明二極管的單向?qū)щ娞匦栽胶?。 若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小,
則說明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大,則說明該二極管已開路損壞。
3.反向擊穿電壓的檢測二極管反向擊穿電壓(耐壓值)可以用晶體管直流參數(shù)測試表測量。其方法是:測量二極管時(shí),
應(yīng)將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài),再將被測二極管的正極接測試表的“C”插孔內(nèi),負(fù)極插入測試表的“e”插孔,
然后按下“V(BR)”鍵,測試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值
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