引言

本文報(bào)道了TSV過程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究了TSV的電學(xué)特性，結(jié)果表明TSV具有低電阻和低電容；小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產(chǎn)率。

介紹

使用無切口硅蝕刻和第一金屬層的濕法清洗的最后通孔TSV工藝使用無切口硅蝕刻和第一金屬層的濕法清洗的最后通孔TSV工藝的流程圖。在這項(xiàng)研究中，最初的晶圓是8英寸。采用0.22微米CMOS技術(shù)制造的三層Al–Cu布線硅片。首先，8英寸的切邊。

使用116個(gè)TSV鏈模式來評(píng)估TSV產(chǎn)量. 每個(gè)TSV鏈模式包括20，000個(gè)tsv。

數(shù)字13 示出了TSV鏈圖案中tsv的數(shù)量和電阻之間的關(guān)系的示例。TSV鏈成功連接到20，000個(gè)TSV，并且TSV鏈圖案中每個(gè)節(jié)點(diǎn)的平均電阻較低。作為20，000個(gè)TSV的平均值獲得的TSV鏈電阻的可接受質(zhì)量水平被設(shè)置為低于0.2ω/節(jié)點(diǎn)。在8英寸的情況下，TSV產(chǎn)量被確定為83%。即使每個(gè)芯片使用20，000個(gè)tsv。這一數(shù)值高于之前的一項(xiàng)研究。

結(jié)論

在這項(xiàng)工作中，開發(fā)了具有無切口硅蝕刻和第一金屬層濕法清洗的最后通孔TSV工藝。硅和二氧化硅之間的界面上的缺口是通過優(yōu)化深硅蝕刻條件來抑制。用有機(jī)堿性溶液濕法清洗第一金屬層，以去除第一金屬層上的污染物。一些小型TSVs直徑:6米；TSV深度:22米；tsv的數(shù)量:20，000個(gè)/芯片)。發(fā)現(xiàn)tsv具有良好的電特性，在8英寸上具有高產(chǎn)量(83%)。威化。

因此，這種最后通孔TSV工藝在促進(jìn)具有許多小tsv的高性能3D系統(tǒng)的開發(fā)方面顯示出巨大的潛力。