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    nmos高端驅(qū)動(dòng)自舉電路
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  •   發(fā)布日期: 2018-09-16  瀏覽次數(shù): 2,084

    一、電容自舉驅(qū)動(dòng)NMOS電路

            VCC經(jīng)過二極管D2、電容C2、電阻R1到地,所以加載在電容C2兩端的電壓約為14V。

      nmos高端驅(qū)動(dòng)自舉電路

      圖1電容自舉驅(qū)動(dòng)NMOS電路

     ?。?) 當(dāng)V1輸入高電平時(shí),Q1、Q4導(dǎo)通,B通道輸出高電平,Q2截止,C通道輸出高電平,Q3導(dǎo)通,D通道輸出高電平48V,由于C2兩端電壓14V,所以Q3的導(dǎo)通使電容抬升了VDD的電壓,即電容C2的正極電壓位62V左右,經(jīng)過三極管Q4、二極管D1到達(dá)Q3的柵極,電容C2起到了自舉抬升電壓的作用,使Q3持續(xù)導(dǎo)通。

      (2) 當(dāng)V1輸入低電平時(shí),Q1、Q4截止,B通道輸出低電平,Q2導(dǎo)通,Q2的導(dǎo)通為Q3的柵極提供放電電路(柵極電壓通過Q2、電阻R1放電),使得電容C2的負(fù)極電壓接近0V,即D通道輸出低電平。

      nmos高端驅(qū)動(dòng)自舉電路

      圖2 電容自舉驅(qū)動(dòng)NMOS電路仿真

      二、MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

      nmos高端驅(qū)動(dòng)自舉電路

      圖3 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

     ?。?) 當(dāng)V1=V2=5V時(shí),Q1、Q4導(dǎo)通,Q2截止,VCC經(jīng)過D2、Q4、D1、R4到達(dá)Q3的柵極,Q3導(dǎo)通;Q6、Q7截止,Q8導(dǎo)通,Q8的導(dǎo)通為Q5的柵極提供放電回路,Q5截止;

     ?。?) 當(dāng)V1=V2=0V時(shí),Q1、Q4截止,Q2導(dǎo)通,Q2的導(dǎo)通為Q3的柵極提供放電回路放電電流經(jīng)過Q2、Q5到地;Q6、Q7導(dǎo)通,Q8截止,VCC經(jīng)過Q7、電阻R1到達(dá)Q5的柵極,Q5導(dǎo)通。

      實(shí)際應(yīng)用中,保持V1、V2同相可以避免上下管同時(shí)導(dǎo)通。

      三、推挽驅(qū)動(dòng)NMOS電路

      nmos高端驅(qū)動(dòng)自舉電路

      圖4推挽驅(qū)動(dòng)NMOS電路

      (1) 當(dāng)V1=3.3V時(shí),Q3導(dǎo)通,P1為低電平,使得Q2截止、Q4導(dǎo)通,Q4的導(dǎo)通為Q1的柵極提供放電回路,P2為低電平,Q1截止。

     ?。?) 當(dāng)V1=0V時(shí),Q3截止,電阻R2將P1鉗位在高電平,使得Q2導(dǎo)通、Q4截止,Q2的導(dǎo)通為Q1的柵極提供充電電路,P2為高電平,Q1導(dǎo)通。

      nmos高端驅(qū)動(dòng)自舉電路

      圖5 推挽驅(qū)動(dòng)NMOS電路仿真


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