一、電容自舉驅(qū)動(dòng)NMOS電路

        VCC經(jīng)過(guò)二極管D2、電容C2、電阻R1到地，所以加載在電容C2兩端的電壓約為14V。

　　圖1電容自舉驅(qū)動(dòng)NMOS電路

　?。?） 當(dāng)V1輸入高電平時(shí)，Q1、Q4導(dǎo)通，B通道輸出高電平，Q2截止，C通道輸出高電平，Q3導(dǎo)通，D通道輸出高電平48V，由于C2兩端電壓14V，所以Q3的導(dǎo)通使電容抬升了VDD的電壓，即電容C2的正極電壓位62V左右，經(jīng)過(guò)三極管Q4、二極管D1到達(dá)Q3的柵極，電容C2起到了自舉抬升電壓的作用，使Q3持續(xù)導(dǎo)通。

　?。?） 當(dāng)V1輸入低電平時(shí)，Q1、Q4截止，B通道輸出低電平，Q2導(dǎo)通，Q2的導(dǎo)通為Q3的柵極提供放電電路（柵極電壓通過(guò)Q2、電阻R1放電），使得電容C2的負(fù)極電壓接近0V，即D通道輸出低電平。

　　圖2 電容自舉驅(qū)動(dòng)NMOS電路仿真

　　二、MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

　　圖3 MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

　?。?） 當(dāng)V1=V2=5V時(shí)，Q1、Q4導(dǎo)通，Q2截止，VCC經(jīng)過(guò)D2、Q4、D1、R4到達(dá)Q3的柵極，Q3導(dǎo)通；Q6、Q7截止，Q8導(dǎo)通，Q8的導(dǎo)通為Q5的柵極提供放電回路，Q5截止；

　?。?） 當(dāng)V1=V2=0V時(shí)，Q1、Q4截止，Q2導(dǎo)通，Q2的導(dǎo)通為Q3的柵極提供放電回路放電電流經(jīng)過(guò)Q2、Q5到地；Q6、Q7導(dǎo)通，Q8截止，VCC經(jīng)過(guò)Q7、電阻R1到達(dá)Q5的柵極，Q5導(dǎo)通。

　　實(shí)際應(yīng)用中，保持V1、V2同相可以避免上下管同時(shí)導(dǎo)通。

　　三、推挽驅(qū)動(dòng)NMOS電路

　　圖4推挽驅(qū)動(dòng)NMOS電路

　　（1） 當(dāng)V1=3.3V時(shí)，Q3導(dǎo)通，P1為低電平，使得Q2截止、Q4導(dǎo)通，Q4的導(dǎo)通為Q1的柵極提供放電回路，P2為低電平，Q1截止。

　?。?） 當(dāng)V1=0V時(shí)，Q3截止，電阻R2將P1鉗位在高電平，使得Q2導(dǎo)通、Q4截止，Q2的導(dǎo)通為Q1的柵極提供充電電路，P2為高電平，Q1導(dǎo)通。

　　圖5 推挽驅(qū)動(dòng)NMOS電路仿真