30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關斷引起
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可以用增大MOS 驅(qū)動電阻;
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RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管;
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VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決;
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或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感;
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在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個小吸收電路;
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在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;
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在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容;
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PCB 心LAYOUT 時大電解電容,變壓器,MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??;
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變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起
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可以在整流管上串磁珠;
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調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);
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可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當?shù)碾娮瑁?/li>
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也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點)。
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增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.
200MHZ 以上開關電源已基本輻射量很小,一般可過EMI 標準。
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