國內(nèi)首家 NAND Flash 大廠長江存儲(chǔ)的新一代 64 層 3D NAND 芯片即將在 8 月投產(chǎn),這個(gè)時(shí)間點(diǎn)加入全球存儲(chǔ)競賽堪稱是“最混亂的時(shí)代”,但也可視為是“最佳入局的時(shí)間點(diǎn)”,因?yàn)?NAND Flash 價(jià)格從緩跌到重挫,逼得三星電子(SAMSung Electronics)放出不再降價(jià)的信息,更讓美光(MIcron)祭出多年罕見的減產(chǎn)策略,未來長江存儲(chǔ)的猛烈追趕,將帶給全球存儲(chǔ)世界什么樣的震撼?長江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā) 32 層 3D NAND 芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在 2019 年 8 月開始生產(chǎn)新一代的 64 層 3D NAND 芯片,等于宣告加入全球 NAND Flash 戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入 90 層 3D NAND 芯片生產(chǎn),長江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。32 層 3D NAND 芯片的研發(fā)成功對(duì)于長江存儲(chǔ)而言,只是練兵意義,真正要上戰(zhàn)場打仗的技術(shù),絕對(duì)是 2019 年即將亮相的 64 層 3D NAND 芯片,目前的良率進(jìn)度如期,預(yù)計(jì) 8 月可進(jìn)入生產(chǎn)。
力求技術(shù)“無時(shí)差”,國際技術(shù)水平最近的一次
相較 NAND Flash 大廠今年進(jìn)入 90 層 3D NAND 芯片技術(shù),長江存儲(chǔ)目前的技術(shù)約落后國際大廠 1.5 ~ 2 個(gè)世代,但 2020 年,長江存儲(chǔ)計(jì)劃彎道超車,追平國際大廠。根據(jù)目前規(guī)劃,2020 年三星、SK海力士等大廠將進(jìn)入 128 層技術(shù),長江存儲(chǔ)也計(jì)劃從 64 層技術(shù),直接跳到 128 層 3D NAND 技術(shù),力拼與國際大廠技術(shù)“無時(shí)差” 。業(yè)界人士認(rèn)為,從 64 層技術(shù)直接跳到 128 層的 3D NAND 技術(shù)難度十分高,但這確實(shí)會(huì)是國內(nèi)半導(dǎo)體與國際水平差距最近的一次,是否能成功跨越重重難關(guān),這一役十分關(guān)鍵。值得注意的是,根據(jù)原本規(guī)劃,長江存儲(chǔ)量產(chǎn)后的 3D NAND 芯片是要給紫光存儲(chǔ)來負(fù)責(zé)銷售,但傳出該策略有變,長江存儲(chǔ)有意自產(chǎn)自銷 3D NAND 芯片。業(yè)界認(rèn)為,只要長江存儲(chǔ)的 64 層 3D NAND 芯片良率夠好,不擔(dān)心客戶問題,尤其是國內(nèi)系統(tǒng)層級(jí)的客戶,對(duì)于采用國產(chǎn)芯片的態(tài)度都是躍躍欲試,況且,長江存儲(chǔ)不單是在國內(nèi)銷售,未來的目標(biāo)是要將芯片推向國際,這點(diǎn)也是該公司在建立技術(shù)體系之初,就非常在意專利和知識(shí)產(chǎn)權(quán)問題的原因。
不過,長江存儲(chǔ)大舉進(jìn)入 NAND Flash 產(chǎn)業(yè),這個(gè)“入局”的時(shí)間點(diǎn)是很微妙的,但或許“最混亂的時(shí)代”,也會(huì)是“最好的時(shí)間點(diǎn)”。2019 年第一季 NAND Flash 價(jià)格幾近“崩盤”,合約價(jià)跌幅甚至高達(dá) 20% ,當(dāng)前價(jià)格已經(jīng)逼近上游大廠的現(xiàn)金成本,這樣的局勢是多年罕見,同時(shí)也逼得三星對(duì)下游模組廠放出不再降價(jià)的信息,進(jìn)而帶動(dòng)第二季度 NAND Flash 價(jià)格稍稍穩(wěn)定。更早之前,美光更是干脆宣布減產(chǎn)來力圖“止血”。 2018 年開始, NAND Flash 價(jià)格率先松動(dòng),接著 dram 價(jià)格也挺不住,美光在 2019 年 3 月開第一槍,宣布減產(chǎn) 5% ,涵蓋 NAND Flash 和 DRam 兩項(xiàng)存儲(chǔ)芯片,這是意識(shí)到跌價(jià)惡化的速度遠(yuǎn)超過市場預(yù)期。再者,西部數(shù)據(jù)也調(diào)整四日市工廠產(chǎn)能,并且延后 Fab 6 新廠的投產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)晶圓出貨將減少 10% ~ 15 %,也等于是變相減產(chǎn),都是反映市場庫存水位過高的壓力。
成敗都是數(shù)據(jù)中心,產(chǎn)業(yè)進(jìn)入整理期
存儲(chǔ)供應(yīng)商認(rèn)為, 2019 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十分艱辛,存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能過剩,手機(jī)需求不濟(jì),更重要的是,上一波帶動(dòng) NAND Flash 再創(chuàng)高峰的應(yīng)用是數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器存儲(chǔ)芯片,從 2018 年下半年起,也進(jìn)入冷靜期。由于數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)量大幅提升,傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)出現(xiàn)瓶頸,暴露很多性能、處理時(shí)間過長的問題,隨著 NAND Flash 成本降低,與傳統(tǒng)硬盤的成本拉近,很多數(shù)據(jù)中心在處理不常用的冷數(shù)據(jù) cold data 方面,會(huì)陸續(xù)以 NAND Flash 組成的 SSD 來取代傳統(tǒng)硬盤。這樣的趨勢已經(jīng)延續(xù)1~2年,但從2018年下半起,許多來自數(shù)據(jù)中心客戶的需求大踩剎車,包括英特爾和Nvidia也都表示來自數(shù)據(jù)中心的需求將降溫,企業(yè)和云端業(yè)者的采購模式都大幅走緩,短期的策略會(huì)以消化庫存為主,這一槍成為NAND Flash價(jià)格崩跌關(guān)鍵殺手。供應(yīng)商則表示,預(yù)計(jì)下半年北美客戶的數(shù)據(jù)中心需求會(huì)率先回暖,加上存儲(chǔ)大廠不愿流血降價(jià)的態(tài)度明確,第二季度起, NAND Flash 價(jià)格開始止跌,至于何時(shí)大幅回升?還要看變化莫測的經(jīng)濟(jì)景氣而定。雖然存儲(chǔ)大廠都信誓旦旦認(rèn)為,下半年市場仍是有一波傳統(tǒng)旺季,只是力道強(qiáng)弱還待觀察,但還有一個(gè)隱憂,就是新技術(shù)的量產(chǎn)將導(dǎo)致供給端產(chǎn)能增加,其中包括三星、 SK 海力士的 96 層芯片,以及長江存儲(chǔ)的 64 層芯片量產(chǎn)。長江存儲(chǔ)的 64 層 3D NAND 芯片下半年要進(jìn)入量產(chǎn),業(yè)界認(rèn)為新技術(shù)在量產(chǎn)初期,總會(huì)有一些良率較低的產(chǎn)品在市場流竄,這部分的貨源可能會(huì)干擾一些中、低價(jià)格的 3D NAND 芯片市場,但這是每一個(gè)新技術(shù)量產(chǎn)之初的必經(jīng)之痛。
另外,下半年也是國際存儲(chǔ)大廠 90 層 3D NAND 芯片的放量期,供給增加的時(shí)間點(diǎn)遇上傳統(tǒng)旺季,考驗(yàn)旺季力道的強(qiáng)弱。三星 2019 年的產(chǎn)能是以 3D NAND 為主, 2D NAND 產(chǎn)能則將依需求下修而縮減。同時(shí),堆疊數(shù)高達(dá) 90 層的第 5 代 V-NAND 技術(shù)已將近成熟,預(yù)計(jì)會(huì)逐漸導(dǎo)入量產(chǎn)。另一家韓系大廠 SK 海力士也將進(jìn)入 96 層新架構(gòu)的 3D NAND 芯片,今年將處于目前主流 72 層 3D NAND 和新一代 96 層芯片的技術(shù)轉(zhuǎn)換期。再者,美光也進(jìn)入 96 層 3D NAND 為芯片量產(chǎn)期。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce統(tǒng)計(jì),2018年第四季全球NAND Flash前五強(qiáng)與市場份額分別為三星電子30.4%、東芝19.3%、美光15.4%、西數(shù)數(shù)據(jù)15.3%、SK海力士11.2%。2018年全球NAND Flash全年?duì)I收約632億美元水準(zhǔn),較2017年成長10.9%,2018年受惠2D NAND技術(shù)轉(zhuǎn) 3D NAND技術(shù)順暢,全年位元出貨量較2017年成長逾40%。以產(chǎn)業(yè)長期趨勢來看,技術(shù)的演進(jìn)絕對(duì)具有正面挹注,因?yàn)槲ㄓ泄に嚰夹g(shù)不斷地往前推進(jìn),降低每單位的生產(chǎn)成本,才會(huì)刺激更多終端應(yīng)用出來,未來還有5G世代的來臨,新一波數(shù)據(jù)中心需求起飛,NAND Flash應(yīng)用前景相當(dāng)廣泛。只是,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)多年來已習(xí)慣國際六強(qiáng)林立,分別為三星、東芝、美光、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、英特爾,身為國內(nèi)第一家量產(chǎn)的存儲(chǔ)大廠長江存儲(chǔ)在練兵多年后,即將在下半年以新技術(shù)64層3D NAND殺入市場,初期將在中、低階市掀起波瀾,再慢慢揮軍國際,這會(huì)是第一次有中國存儲(chǔ)芯片可以在國際露臉,后續(xù)引發(fā)的震撼效應(yīng)不容小覷。