寄生二極管作用

當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí)，可以通過這個(gè)二極管導(dǎo)出來，不至于擊穿這個(gè)MOS管。（起到保護(hù)MOS管的作用）

溝槽Trench型N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET的結(jié)構(gòu)如下圖所示，在N-epi外延層上擴(kuò)散形成P基區(qū)，然后通過刻蝕技術(shù)形成深度超過P基區(qū)的溝槽，在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層，再用多晶硅填充溝槽，利用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成N+源區(qū)，背面的N+substrate為漏區(qū)，在柵極加上一定正電壓后，溝槽壁側(cè)的P基區(qū)反型，形成垂直溝道。

由美國aos萬代半導(dǎo)體代理泰德蘭電子提供的下圖結(jié)構(gòu)中可以看到，P基區(qū)和N-epi形成了一個(gè)PN結(jié)，即MOSFET的寄生體二極管。

MOSFET剖面結(jié)構(gòu)

體二極管主要參數(shù)

二極管特性測(cè)試電路

二極管恢復(fù)曲線

MOSFET體二極管反向恢復(fù)過程波形

MOSFET體二極管應(yīng)用場(chǎng)合

1、全橋逆變電路

2、三相橋電路

3、LLC半橋諧振電路ZVS

4、移相全橋PSFB ZVS

5、HID照明（ZVS）

MOSFET體二極管應(yīng)用分析

1、MOSFET體二極管反向恢復(fù)

2、LLC半橋諧振變換器

3、LLC電壓增益

4、LLC變換器 ZVS狀態(tài)下模態(tài)切換

LLC變換器工作波形

LLC啟動(dòng)過程 - 二極管反向恢復(fù)

HID照明電源（帶載切換成開路）