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MOS管
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  • 開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用詳細(xì)解析
    開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用詳細(xì)解析
  • 開(kāi)關(guān)MOS寄生二極管的多種妙用詳細(xì)解析
  •   發(fā)布日期: 2021-08-26  瀏覽次數(shù): 2,094

    寄生二極管作用

    當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時(shí),可以通過(guò)這個(gè)二極管導(dǎo)出來(lái),不至于擊穿這個(gè)MOS管。(起到保護(hù)MOS管的作用)

    溝槽Trench型N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET的結(jié)構(gòu)如下圖所示,在N-epi外延層上擴(kuò)散形成P基區(qū),然后通過(guò)刻蝕技術(shù)形成深度超過(guò)P基區(qū)的溝槽,在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層,再用多晶硅填充溝槽,利用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成N+源區(qū),背面的N+substrate為漏區(qū),在柵極加上一定正電壓后,溝槽壁側(cè)的P基區(qū)反型,形成垂直溝道。

    由美國(guó)aos萬(wàn)代半導(dǎo)體代理泰德蘭電子提供的下圖結(jié)構(gòu)中可以看到,P基區(qū)和N-epi形成了一個(gè)PN結(jié),即MOSFET的寄生體二極管。

     

     

    MOSFET剖面結(jié)構(gòu)

     

     

    體二極管主要參數(shù)

     

     

     

    二極管特性測(cè)試電路

     

     

     

    二極管恢復(fù)曲線

     

     

     

    MOSFET體二極管反向恢復(fù)過(guò)程波形

     

     

     

     

     

    MOSFET體二極管應(yīng)用場(chǎng)合

    1、全橋逆變電路

     

     

     

     

     

    2、三相橋電路

     

     

     

     

     

    3、LLC半橋諧振電路ZVS

     

     

     

     

     

    4、移相全橋PSFB ZVS

     

     

     

     

     

    5、HID照明(ZVS)

     

     

     

     

     

    MOSFET體二極管應(yīng)用分析

    1、MOSFET體二極管反向恢復(fù)

     

     

     

     

     

    2、LLC半橋諧振變換器

     

     

     

     

     

    3、LLC電壓增益

     

     

     

     

     

    4、LLC變換器 ZVS狀態(tài)下模態(tài)切換

     

     

     

     

     

     

     

    LLC變換器工作波形

    LLC啟動(dòng)過(guò)程 - 二極管反向恢復(fù)

     

     

     

    HID照明電源(帶載切換成開(kāi)路)

     

     

     


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