最新消息稱,集成電路領域14nm先進工藝規(guī)模實現(xiàn)量產(chǎn),90nm光刻機、5nm刻蝕機、12英寸大硅片、國產(chǎn)CPU、5G芯片等實現(xiàn)突破。
獨立技術(shù)分析師項立剛周三告訴《環(huán)球時報》,這標志著中國公司大規(guī)模生產(chǎn)14納米芯片的能力首次得到官方認可。
這是對美國擴大封鎖對中國的高端芯片出口的有力回應,將進一步加速中國在核心技術(shù)方面的突破。
最近,美國剛剛擴大了對美國向中國運送用于AI和芯片制造工具的半導體的出口管控范圍。
美國商務部已向包括KLA公司、Lam Research公司和Applied Materials公司在內(nèi)的公司發(fā)出通知,除非獲得商務部的許可,否則禁止向生產(chǎn)14nm以下工藝的先進半導體的中國工廠出口芯片制造設備。
戰(zhàn)略問題獨立研究員Chen Jia表示,雖然10納米通常被作為先進工藝的「基準線」,但對中國來說,14納米以上的成熟工藝可以滿足中國市場的大部分需求,項立剛說。
陳佳說,在上海實現(xiàn)14nm芯片的量產(chǎn),將大大有助于新能源汽車、智慧城市、智能制造和物聯(lián)網(wǎng)等領域的發(fā)展,有助于中國鞏固其作為世界頂級制造工廠的優(yōu)勢。
N+1技術(shù)
中芯國際的「N+1」制造技術(shù)是該公司繼14納米和12納米制造工藝之后的又一重要節(jié)點。
據(jù)中芯國際稱,與14納米節(jié)點相比,其N+1技術(shù)可在相同的時鐘頻率和復雜度下,將性能提高20%。或在相同的性能和復雜度下,將功率降低57%。
此外,該技術(shù)有可能將現(xiàn)有芯片晶體管密度提高2.7倍。
按照業(yè)界標準,新制程帶來的芯片性能提升應該達到35%,但如果樂觀點說,中芯已經(jīng)超越聯(lián)電、格芯,成為僅次于臺積電、三星的晶圓代工廠。中芯N+1工藝可以看成是「偽7nm」。
雖然中芯國際的N+1技術(shù)帶來的可擴展性和功耗改進是顯著的,可以與格羅方德的12LP+,三星的8LPP,甚至臺積電的N7(7納米,非EUV)相比,但其性能上的提升相對并沒那么明顯。
因此,中芯國際自己將N+1主要定位為低功耗、低成本設備。
早在2020年8月,中芯國際就表示其N+1技術(shù)方案已經(jīng) 「完成了客戶產(chǎn)品驗證」。
由于政策原因,中芯國際還沒有收到在2018年從ASML購買的TwinScan?NXE極紫外(EUV)掃描儀,目前其N+1技術(shù)沒有使用EUV,這與與三星和臺積電的領先工藝不同。
純粹依靠DUV光刻技術(shù),大大降低了中芯國際在性能和可擴展性方面推進其節(jié)點的能力,因此它將無法在短期內(nèi)與前沿領域的市場領導者競爭。
目前,這對中芯國際來說不是一個重大問題,因為成熟技術(shù)(40/45納米和更厚的技術(shù))在2020年第二季度占其晶圓收入的90.9%。
同時,28納米和14納米僅占該公司第二季度晶圓收入的9.1%,前者被認為比后者更受歡迎。但中國公司需要基于FinFET的先進工藝技術(shù),其中許多公司更愿意與本地供應商合作。
中芯國際5nm?
作為國內(nèi)頂尖的晶圓代工廠,中芯國際工藝制程的發(fā)展備受關(guān)注。
2019年,中芯國際在14nm制程工藝量產(chǎn)之后,就開始了其后續(xù)兩代的先進制程研發(fā)。
內(nèi)部代號分別為「N+1」和「N+2」,但并未給出對應的工藝節(jié)點。
環(huán)球時報稱,隨著上海14nm芯片產(chǎn)業(yè)集群的建成,7nm和5nm更先進工藝項目將加速推進。
這是否透露出「N+2」代表著更先進的5nm工藝節(jié)點?
自2020年底被列入美國實體清單以來,中芯國際在有關(guān)其業(yè)績的公告上一直保持低調(diào)。
該公司僅表示將專注于開發(fā)更先進的芯片封裝技術(shù)以實現(xiàn)異構(gòu)集成,并彌補無法采購亞10納米技術(shù)所需的設備。
中芯國際在2020年簡要提到了其N+2技術(shù)。雖然這是其14nm節(jié)點的又一個演進,但國內(nèi)專家似乎將其標記為「5nm」節(jié)點。
目前,中芯國際已經(jīng)在 N+2 節(jié)點上研究兩年多,可以期待的是這一制造過程可能會在2023年取得成果。
能否撐起「中國芯」
目前來看,10nm以下工藝的玩家,只剩下臺積電、三星和英特爾了。
2018年,聯(lián)電、Global Foundries在達到14nm/12nm工藝節(jié)點后,紛紛宣布退出更高制程的探索。
在追求更先進芯片制程的第二梯隊中,代表著我國自主研發(fā)集成電路制造技術(shù)先進水平的中芯國際還沒有放棄。
回看中芯國際2021年財報,其全年銷售收入為54.431億美元,同比增長39.3%。超過了市場預期。
年度報告中,成熟工藝(28nm以下)仍然是中芯國際的主要營收來源,但先進制程占比也在逐漸增加。
這其中先進制程FinFET/28nm或許就包括未分開的數(shù)據(jù),讓業(yè)界對其14nm、28nm產(chǎn)能營收增加了神秘感。
據(jù)TrendForce的報告,中芯國際的市場份額僅次于臺積電、三星、聯(lián)電和格芯。其中,第四季度臺積電獨攬52.1%的市場份額高居榜首,而中芯國際僅占比5.2%。
在攻克14nm量產(chǎn)難關(guān)后,業(yè)界對中芯國際的期待是,何時能夠攻克10nm,甚至7nm制程。
而14nm與5nm相比中間相差至少3代,保守估計是5年以上的差距。
一直以來,中芯國際同樣在提升自身芯片制程工藝的節(jié)點上不斷努力。
去年9月,中芯曾發(fā)布公告稱,將投資88.7億美元(約572億人民幣)建設中國大陸最大的晶圓代工廠。
建成后,工廠的產(chǎn)能將達到每月10萬片12英寸晶圓。
另外,今年8月,中芯國際在最新公告中宣布,擬在天津建設12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目,投資總額為75億美元。
然而,受制于實體清單的影響,中芯的發(fā)展同時面臨著巨大的挑戰(zhàn)。
2020年底,美商務部將中芯國際及其部分子公司及參股公司列入「實體清單」。根據(jù)規(guī)定,若想使用美產(chǎn)品和技術(shù)需獲得美商務部的許可。
在列入實體清單一年后,美國又開始限制中芯國際獲得14nm及以下制程的生產(chǎn)工具。再加上國產(chǎn)DUV光刻機遲遲無法交付,中芯還得嚴重依賴ASML光刻機供貨。
除了制裁,「宮里內(nèi)斗」對其發(fā)展也帶來了不利的影響。
2021年9月,先是中芯國際董事長周子學辭任,CFO高永崗為代理董事長。
緊接著2個月后,蔣尚義辭任公司副董事長、執(zhí)行董事及董事會戰(zhàn)略委員會成員職務;梁孟松辭任執(zhí)行董事職務,繼續(xù)擔任公司聯(lián)合首席執(zhí)行官。
不僅要去美化,還要應對內(nèi)部人事變動...
由此來看,中芯國際在探索更先進制程路上仍是任重而道遠。